[發明專利]SiC外延晶片及其制造方法有效
| 申請號： | 201880031043.2 | 申請日： | 2018-01-18 |
| 公開（公告）號： | CN110663099B | 公開（公告）日： | 2023-06-02 |
| 發明（設計）人： | 三谷陽一郎;木村泰廣;大野彰仁 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205;C30B29/36;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 賈成功 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sic 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種SiC外延晶片，其為具備SiC外延層的SiC外延晶片，
所述SiC外延層的膜厚為18μm以上且350μm以下，算術平均粗糙度為大于0.60nm且3.00nm以下，
雜質濃度為1×1014/cm3以上且5×1015/cm3以下，
所述SiC外延層的算術平均粗糙度的評價范圍為所述SiC外延層的整個表面。
2.根據權利要求1所述的SiC外延晶片，其中，所述雜質為氮。
3.根據權利要求1或2所述的SiC外延晶片，其還包括在所述SiC外延層的下表面設置的SiC基板。
4.一種權利要求1-3中任一項所述的SiC外延晶片的制造方法，其為將SiC基板設置在CVD裝置的反應爐內、在所述SiC基板上形成膜厚為18μm以上且350μm以下的SiC外延層的SiC外延晶片的制造方法，
所述SiC外延層的形成條件是：所述反應爐內的壓力為3kPa以上且12kPa以下，向所述反應爐內所供給的材料氣體的C/Si比為1.0以上且1.5以下，生長溫度為1500℃以上且1750℃以下。
5.根據權利要求4所述的SiC外延晶片的制造方法，其中，在所述SiC外延層的形成后將所述SiC基板去除。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三菱電機株式會社，未經三菱電機株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880031043.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：利用聚合物結構去活化工藝的選擇性沉積工藝
- 下一篇：稀藥液制造裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
