[發明專利]激光產生的等離子體源

有效

• 申請號: 201880030698.8
• 申請日: 2018-04-17
• 公開（公告）號: CN110612482B
• 公開（公告）日: 2022-04-26
• 發明（設計）人: G·H·P·M·斯溫克爾斯;R·M·霍夫斯特拉;J·H·J·穆爾斯;P·W·克利里;B·P·范德里恩休伊曾
• 申請（專利權）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;H01S3/23;H01S3/00
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 董莘

1.一種用于激光產生的等離子體源的種子激光器模塊，所述種子激光器模塊包括：

脈沖激光源，被配置為以脈沖重復率發射源輻射脈沖；

子系統，被配置為提供電信號；以及

電光調制器，被耦合到所述子系統，并且被配置為接收所述源輻射脈沖，并且在所述電信號的控制下發射整形后的輻射脈沖；

其中所述電信號包括與所述源輻射脈沖同相的處于所述脈沖重復率的選通脈沖、以及在所述選通脈沖中的連續選通脈沖之間的一個或多個次級脈沖，以引起輻射泄漏來產生基底。

2.根據權利要求1所述的種子激光器模塊，其中所述次級脈沖與所述源輻射脈沖異相180°。

3.根據權利要求1所述的種子激光器模塊，其中所述次級脈沖的頻率是所述脈沖重復率的N倍，其中N是大于或等于2的整數。

4.根據權利要求1、2或3所述的種子激光器模塊，其中所述子系統包括被配置為供應所述選通脈沖的第一源、以及被配置為供應所述一個或多個次級脈沖的第二源。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的種子激光器模塊，還包括脈沖控制器，所述脈沖控制器被配置為控制以下各項中的至少一項：所述一個或多個次級脈沖中的特定次級脈沖的幅度；所述一個或多個次級脈沖中的特定次級脈沖的持續時間；以及所述一個或多個次級脈沖中的特定次級脈沖相對于所述選通脈沖中的相關選通脈沖的相位。

6.一種用于激光產生的等離子體源的種子激光器模塊，所述種子激光器模塊包括：

脈沖激光源，被配置為以脈沖重復率發射源輻射脈沖；

子系統，被配置為提供電信號；以及

電光調制器，被耦合到所述子系統，并且包括電光晶體，所述電光晶體被配置為接收所述源輻射脈沖，并且在所述電信號的控制下發射整形后的輻射脈沖；

其中所述電信號包括與所述源輻射脈沖同相的處于所述脈沖重復率的選通脈沖、以及DC偏置電壓，以引起輻射泄漏來產生基底。

7.一種用于激光產生的等離子體源的種子激光器模塊，所述種子激光器模塊包括：

脈沖激光源，被配置為以脈沖重復率發射源輻射脈沖；

子系統，被配置為提供電信號；

電光調制器，被耦合到所述子系統，并且包括電光晶體，所述電光晶體被配置為接收所述源輻射脈沖，并且在所述電信號的控制下發射整形后的輻射脈沖；以及

聲學設備，被配置為向所述電光晶體施加聲學信號，以引起輻射泄漏來產生基底。

8.根據權利要求7所述的種子激光器模塊，其中所述聲學設備包括機械地被耦合到所述晶體的換能器。

9.一種用于激光產生的等離子體源的種子激光器模塊，所述種子激光器模塊包括：

脈沖激光源，被配置為以脈沖重復率發射源輻射脈沖；

子系統，被配置為提供電信號；

電光調制器，被耦合到所述子系統，并且被配置為接收所述源輻射脈沖，并且在所述電信號的控制下發射整形后的輻射脈沖，所述電光調制器包括偏振器；以及

調整器，被配置為旋轉所述偏振器，以引起輻射泄漏來產生基底。

10.根據權利要求9所述的種子激光器模塊，其中所述電光調制器從所述脈沖激光源開始依次包括第一偏振器、具有可控雙折射的第一晶體、與所述第一偏振器正交取向的第二偏振器、具有可控雙折射的第二晶體、以及與所述第一偏振器平行取向的第三偏振器；以及

其中所述調整器被配置為旋轉所述第二偏振器。

11.根據權利要求9所述的種子激光器模塊，其中所述電光調制器從所述脈沖激光源開始依次包括第一偏振器、具有可控雙折射的第一晶體、與所述第一偏振器正交取向的第二偏振器、具有可控雙折射的第二晶體、以及與所述第一偏振器平行取向的第三偏振器；以及

其中所述調整器被配置為旋轉所述第一偏振器和所述第三偏振器。