[發明專利]斜面蝕刻輪廓控制

有效

• 申請號: 201880030307.2
• 申請日: 2018-05-07
• 公開（公告）號: CN110914954B
• 公開（公告）日: 2023-09-08
• 發明（設計）人: 蘇宗輝;V·普拉巴卡爾;A·A·哈賈;J·李
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23C16/455;H01L21/67
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;張鑫

1.一種用于處理襯底的方法，所述方法包括：

將襯底放置在處理腔室內的蓋板上，其中所述襯底具有邊緣和中心并包括在所述邊緣和所述中心上的沉積的層，并且其中所述處理腔室包括設置在所述襯底上方的掩模以及設置在所述襯底下方的邊緣環，并且其中所述邊緣環具有環形主體；

升高所述邊緣環以接觸所述掩模；

使等離子體沿著所述掩模的外表面并向所述襯底的所述邊緣流動；

將所述襯底的上表面在所述邊緣處暴露于所述等離子體并用所述等離子體從所述邊緣蝕刻所述沉積的層；

使凈化氣體從定位在所述掩模的內表面上的兩個或更多個開口并向所述襯底的所述中心流動；以及

使所述襯底的所述上表面在所述中心處暴露于所述凈化氣體并使所述凈化氣體從所述中心沿著所述上表面朝向所述邊緣徑向地流動，以在所述等離子體和所述凈化氣體的界面處形成蝕刻輪廓。

2.如權利要求1所述的方法，其中從工藝氣體產生所述等離子體，并且所述方法還包括通過至少改變所述工藝氣體的流率、所述凈化氣體的流率或這兩個流率來調整所述蝕刻輪廓。

3.如權利要求1所述的方法，其中所述方法還包括通過等離子體暴露來加熱所述邊緣環并通過將熱能從所述邊緣環傳遞到所述邊緣來加熱所述邊緣。

4.如權利要求1所述的方法，其中定位在所述掩模的所述內表面上的所述兩個或更多個開口包括三個、四個或五個開口。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述蓋板設置在襯底支撐件上，并且其中所述蓋板具有圓齒狀的邊緣。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述蓋板包括環繞中心孔徑的多個開口。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述邊緣具有0.5mm至5mm的徑向寬度。

8.如權利要求1所述的方法，其中所述襯底與所述掩模之間的距離小于100密耳。

9.如權利要求1所述的方法，其中從包括N₂、O₂、NF3、Ar、He或以上項的任何組合的工藝氣體產生所述等離子體，并且其中所述凈化氣體包括Ar、He或N₂或以上項的任何組合。

10.一種用于處理襯底的方法，所述方法包括：

將襯底放置到處理腔室中，其中所述襯底具有邊緣和中心并包括在所述邊緣和所述中心上的沉積的層，并且其中所述處理腔室包括：邊緣環，所述邊緣環設置在所述襯底的周圍和下方；以及掩模，所述掩模設置在所述襯底上方；

升高所述邊緣環以接觸所述掩模；

使等離子體沿著所述掩模的外表面并向所述襯底的所述邊緣流動；

將所述襯底的上表面在所述邊緣處暴露于所述等離子體并用所述等離子體從所述邊緣蝕刻所述沉積的層；

使凈化氣體從定位在所述掩模的內表面上的兩個或更多個開口并向所述襯底的所述中心流動；

使所述襯底的所述上表面在所述中心處暴露于所述凈化氣體并使所述凈化氣體從所述中心沿著所述上表面朝向所述邊緣徑向地流動，以在所述等離子體和所述凈化氣體的界面處形成蝕刻輪廓；以及

通過等離子體暴露來加熱所述邊緣環并通過將熱能從所述邊緣環傳遞到所述邊緣來加熱所述邊緣。

11.如權利要求10所述的方法，其中從工藝氣體產生所述等離子體，并且所述方法還包括通過至少改變所述工藝氣體的流率、所述凈化氣體的流率或這兩個流率來調整所述蝕刻輪廓。

12.如權利要求10所述的方法，其中定位在所述掩模的所述內表面上的所述兩個或更多個開口包括三個、四個或五個開口。

13.如權利要求10所述的方法，其中所述邊緣具有0.5mm至5mm的徑向寬度。