[發明專利]光電轉換裝置以及具備其的太陽能電池組件在審
| 申請號: | 201880029963.0 | 申請日: | 2018-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN110603649A | 公開(公告)日: | 2019-12-20 |
| 發明(設計)人: | 東川誠;宋怡瀟 | 申請(專利權)人: | 夏普株式會社 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/0747 |
| 代理公司: | 44334 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 | 代理人: | 王娟 |
| 地址: | 日本國大*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電極 非晶質半導體層 導電層 布線基板 導電性 聯接層 布線 光電轉換裝置 半導體基板 覆蓋導電層 金屬形成 導線層 配置 自由 | ||
1.一種光電轉換裝置,其特征在于,具備:
半導體基板,其具有第一導電型;
第一非晶質半導體層,其配置于所述半導體基板的一側的面,并具有所述第一導電型;
第二非晶質半導體層,其配置于所述半導體基板的一側的面,并具有與所述第一導電型相反的第二導電型;
第一電極,其與所述第一非晶質半導體層電連接;
第二電極,其與所述第二非晶質半導體層電連接;
第一布線,其經由導電性聯接層與所述第一電極的一部分連接;以及
第二布線,其經由導電性聯接層與所述第二電極的一部分連接,
所述第一電極包含:
第一導電層,其以與所述第一非晶質半導體層接觸的方式配置,并且主要成分為銀;以及
第二導電層,其配置于所述第一導電層與所述第一布線之間,并由比所述銀易于氧化的金屬形成,
所述第二電極包含:
第三導電層,其以與所述第二非晶質半導體層接觸的方式配置,并且主要成分為銀;以及
第四導電層,其配置于所述第三導電層與所述第二布線之間,并由比所述銀易于氧化的金屬形成,
所述第二導電層包含與所述第一布線面對的部分,
所述第四導電層包含與所述第二布線面對的部分。
2.根據權利要求1所述的光電轉換裝置,其特征在于,
具有所述第二導電層與所述第一布線直接接觸的結構、以及所述第四導電層與所述第二布線直接接觸的結構中的至少一個結構。
3.根據權利要求1或2所述的光電轉換裝置,其特征在于,
具有所述第二導電層由比所述第一布線易于氧化的金屬形成的結構、以及所述第四導電層由比所述第二布線易于氧化的金屬形成的結構中的至少一個結構。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的光電轉換裝置,其特征在于,
具有所述第二導電層由比所述第一布線硬度高的金屬形成的結構、以及所述第四導電層由比所述第二布線硬度高的金屬形成的結構中的至少一個結構。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的光電轉換裝置,其特征在于,
所述第二導電層以及所述第四導電層以鎳為主要成分。
6.一種太陽能電池組件,其特征在于,
具備權利要求1至5中任一項所述的光電轉換裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





