[發明專利]一種標準單元布局和用于創建標準單元布局的半導體器件加工方法

有效

• 申請號: 201880029071.0
• 申請日: 2018-04-27
• 公開（公告）號: CN110582849B
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發明（設計）人: 理查德·T·舒爾茨
• 申請（專利權）人: 超威半導體公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/775;H01L29/06;H01L21/768;H01L21/8238;H01L29/66;H01L27/118
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張靜

1.一種用于創建標準單元布局的半導體器件加工方法，其包括：

在硅襯底上形成多個垂直納米線片；

環繞所述多個垂直納米線片布置金屬柵極；

在所述多個垂直納米線片中的兩個垂直納米線片之間在所述金屬柵極上形成柵極觸點；

將柵極延伸金屬布置在所述金屬柵極上方所述柵極觸點上；

在所述柵極延伸金屬上的某個位置處形成柵極通孔，在所述位置處可使用局部互連層來布線柵極連接；以及

在所述兩個垂直納米線片上形成兩個金屬觸點以創建源極區域和漏極區域，其中所述柵極延伸金屬和所述柵極通孔中的每一個都不連接到所述兩個金屬觸點。

2.如權利要求1所述的半導體器件加工方法，其中所述柵極延伸金屬允許在所述局部互連層與所述金屬柵極之間的連接沿著對應器件的長度發生。

3.如權利要求1所述的半導體器件加工方法，其中所述兩個垂直納米線片中的第一垂直納米線片用于創建p溝道器件，并且所述兩個垂直納米線片中的第二垂直納米線片用于創建n溝道器件。

4.如權利要求1所述的半導體器件加工方法，其中用于布線所述柵極連接的所述局部互連層是局部金屬零層。

5.如權利要求1所述的半導體器件加工方法，其中所述源極區域和所述漏極區域中的每一個使用至少硅化鈦觸點來連接包括金屬零層的局部互連。

6.如權利要求5所述的半導體器件加工方法，其中所述方法還包括將柵極延伸金屬布置在所述兩個垂直納米線片和所述硅化鈦觸點中的一個或多個上方的金屬觸點上。

7.如權利要求1所述的半導體器件加工方法，其中所述方法還包括在所述標準單元內布置局部金屬層以用于連接局部路線和電源連接。

8.一種標準單元布局，其包括：

多個垂直納米線片，所述多個垂直納米線片位于硅襯底上；

金屬柵極，所述金屬柵極環繞所述多個垂直納米線片布置；

柵極觸點，所述柵極觸點形成在所述多個垂直納米線片中的兩個垂直納米線片之間在所述金屬柵極上；

柵極延伸金屬，所述柵極延伸金屬布置在所述金屬柵極上方所述柵極觸點上；

柵極通孔，所述柵極通孔形成在所述柵極延伸金屬上的某個位置處，在所述位置處可使用局部互連層來布線柵極連接；以及

兩個金屬觸點，所述兩個金屬觸點形成在所述兩個垂直納米線片上以創建源極區域和漏極區域，其中所述柵極延伸金屬和所述柵極通孔中的每一個都不連接到所述兩個金屬觸點。

9.如權利要求8所述的標準單元布局，其中所述柵極延伸金屬允許在所述局部互連層與所述金屬柵極之間的連接沿著對應器件的長度發生。

10.如權利要求8所述的標準單元布局，其中所述兩個垂直納米線片中的第一垂直納米線片用于創建p溝道器件，并且所述兩個垂直納米線片中的第二垂直納米線片用于創建n溝道器件。

11.如權利要求8所述的標準單元布局，其中用于布線所述柵極連接的所述局部互連層是局部金屬零層。

12.如權利要求8所述的標準單元布局，其中所述源極區域和所述漏極區域中的每一個使用至少硅化鈦觸點來連接包括金屬零層的局部互連。