[發(fā)明專利]缺陷檢查裝置以及缺陷檢查方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880028252.1 | 申請日: | 2018-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN110621988A | 公開(公告)日: | 2019-12-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 川島裕史;上田高敬;江草稔;境紀(jì)和;錦戶良太 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號: | G01N25/72 | 分類號: | G01N25/72;G01N21/956 |
| 代理公司: | 11038 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 | 代理人: | 許海蘭 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 載置臺 缺陷檢查裝置 冷卻部 表面照射激光 紅外線照相機(jī) 被檢查物 表面輻射 激光光源 激光加熱 激光照射 加熱樣品 檢查區(qū)域 接合材料 冷卻樣品 接合 分辨率 紅外線 檢測 載置 加熱 空洞 檢查 | ||
1.一種缺陷檢查裝置,包括:
載置臺(3),載置樣品(17),該樣品(17)包括通過接合材料接合的第一部件和第二部件;
激光光源(1),對所述第一部件被載置于所述載置臺(3)的所述樣品(17)所包括的所述第二部件的表面照射激光而加熱所述樣品(17);以及
紅外線照相機(jī)(2),檢測從被所述激光加熱的所述第二部件的所述表面輻射的紅外線,
其中,所述載置臺(3)包括冷卻部(3a),該冷卻部(3a)冷卻所述樣品(17)所包括的所述第一部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷檢查裝置,其中,
還具備控制部(6),該控制部(6)基于由所述紅外線照相機(jī)(2)檢測的所述紅外線的強(qiáng)度,對所述第一部件與所述第二部件的接合狀態(tài)進(jìn)行解析。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的缺陷檢查裝置,其中,
還具備掩模(20),該掩模(20)設(shè)置于所述載置臺(3)的上方,面積比從所述上方照射的所述激光的照射區(qū)域(1c)大,
所述掩模(20)包括開口部(21),該開口部(21)貫通所述掩模(20),露出位于所述掩模(20)的下方而載置于所述載置臺(3)的所述樣品(17)的所述第二部件的所述表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的缺陷檢查裝置,其中,
還具備冷卻機(jī)構(gòu),該冷卻機(jī)構(gòu)冷卻所述掩模(20)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或者4所述的缺陷檢查裝置,其中,
所述掩模(20)的材料包括針對所述激光的波長具有比所述樣品(17)具有的吸收系數(shù)高的吸收系數(shù)的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中的任意一項(xiàng)所述的缺陷檢查裝置,其中,
所述掩模(20a)在所述開口部(21a)的邊緣具有傾斜面(22),
所述傾斜面(22)以比入射于所述第二部件的所述表面的所述激光的入射角大的角度,從所述開口部(21a)的中心朝向所述掩模(20a)的外側(cè)向上方傾斜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任意一項(xiàng)所述的缺陷檢查裝置,其中,
還具備光束阻尼器(11),該光束阻尼器(11)設(shè)置于在所述樣品(17)的所述第二部件的所述表面反射的所述激光傳播的反射光路(1b)上,吸收在所述表面反射的所述激光。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的缺陷檢查裝置,其中,
所述光束阻尼器(11)的受光面比所述受光面中的所述激光的照射面積大。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或者8所述的缺陷檢查裝置,其中,
還具備聚光光學(xué)元件,該聚光光學(xué)元件設(shè)置于所述樣品(17)與所述光束阻尼器(11)之間的所述反射光路(1b)上,
所述光束阻尼器(11)吸收通過所述聚光光學(xué)元件聚光的所述激光。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中的任意一項(xiàng)所述的缺陷檢查裝置,其中,
所述激光光源(1)出射的所述激光在所述載置臺(3)上的照射區(qū)域(1c)比所述第二部件大。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任意一項(xiàng)所述的缺陷檢查裝置,其中,
所述激光光源(1)相對于所述載置臺(3)的設(shè)置面(3c)的垂線傾斜地設(shè)置,以使所述激光傾斜地入射于所述第二部件的所述表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中的任意一項(xiàng)所述的缺陷檢查裝置,其中,
所述激光光源(1)的輸出功率為500W以上。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中的任意一項(xiàng)所述的缺陷檢查裝置,其中,
所述第一部件為包含銅的部件,
所述第二部件為厚度比所述第一部件薄的半導(dǎo)體芯片(16)。
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