[發明專利]存儲器形狀

在審

• 申請號: 201880027807.0
• 申請日: 2018-04-25
• 公開（公告）號: CN110574013A
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發明（設計）人: J·D·勒戴爾;I·小克勞福德
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02
• 代理公司: 11287 北京律盟知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 王龍

可接收存儲器形狀的用戶定義且可根據所述存儲器形狀分配存儲器陣列的多維連續物理部分。所述存儲器形狀的所述用戶定義可包含所述存儲器陣列的連續列的數量、所述存儲器陣列的連續行的數量及所述存儲器形狀的主要維度。所述主要維度可對應于最初使存儲于所述存儲器形狀中的數據跨越的維度。

技術領域

本發明一般來說涉及半導體存儲器及方法，且更特定來說，涉及經由存儲器形狀的使用進行的存儲器裝置的多維連續物理分配。

背景技術

存儲器裝置通常經提供作為計算系統或其它電子裝置中的內部半導體集成電路。存在許多不同類型的存儲器，包含易失性及非易失性存儲器。易失性存儲器可需要電力以維持其數據(例如，用戶數據、錯誤數據等)，且包含隨機存取存儲器(RAM)、動態隨機存取存儲器(DRAM)及同步動態隨機存取存儲器(SDRAM)以及其它易失性存儲器。非易失性存儲器可通過在未供電時保持所存儲數據而提供持久數據且可包含非易失性隨機存取存儲器(NVRAM)、NAND快閃存儲器、NOR快閃存儲器、只讀存儲器(ROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、可擦除可編程ROM(EPROM)及電阻可變存儲器，例如相變隨機存取存儲器(PCRAM)、電阻式隨機存取存儲器(RRAM)及磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)，例如自旋扭矩轉移隨機存取存儲器(STT RAM)以及其它非易失性存儲器。

計算系統通常包含可檢索及執行指令且將所述所執行指令的結果存儲到適合位置的若干個處理資源(例如，一或多個處理器)。處理資源可包括可執行指令以對數據(例如，一或多個操作數)執行例如AND、OR、NOT、NAND、NOR及XOR邏輯操作的邏輯操作的若干個功能單元(例如，在本文中稱為功能單元電路(FUC))，例如算術邏輯單元(ALU)電路、浮動點單元(FPU)電路及/或組合邏輯塊。

在將指令提供到功能單元電路以用于執行中可涉及計算系統中的若干個組件。可(例如)由例如控制器及/或主機處理資源的處理資源產生所述指令。數據(例如，將對其執行指令以執行邏輯操作的操作數)可存儲于可由FUC存取的存儲器陣列中。在FUC開始對數據執行指令之前，可從存儲器陣列檢索指令及/或數據并對其進行定序及/或緩沖。此外，由于可在一個或多個時鐘周期中通過FUC執行不同類型的操作，因此還可對操作及/或數據的中間結果進行定序及/或緩沖。在許多例子中，處理資源(例如，處理器及/或相關聯FUC)可在存儲器陣列外部，且可存取數據(例如，經由處理資源與存儲器陣列之間的總線以執行指令)。數據可經由總線從存儲器陣列移動到在存儲器陣列外部的寄存器。

附圖說明

圖1圖解說明根據本發明的若干個實施例的呈包含至少一個存儲器系統的計算系統的形式的設備的框圖。

圖2圖解說明根據本發明的若干個實施例的存儲器裝置的一部分的示意圖，其圖解說明根據存儲器形狀進行的多維連續物理分配。

圖3圖解說明根據本發明的若干個實施例的存儲器裝置的一部分的示意圖，其圖解說明根據存儲器形狀進行的多維連續物理分配。

圖4圖解說明根據本發明的若干個實施例的存儲器裝置的一部分的示意圖，其圖解說明根據多個存儲器形狀進行的多維連續物理分配。

圖5圖解說明根據本發明的若干個實施例的存儲器裝置的一部分的示意圖，其圖解說明根據多個存儲器形狀進行多維連續物理分配以達成外回路優化。

圖6圖解說明根據本發明的若干個實施例的存儲器裝置的一部分的示意圖，其圖解說明根據存儲器形狀陣列進行多維連續物理分配以達成外回路優化。

圖7是圖解說明根據本發明的若干個實施例的感測電路的示意圖。

圖8是根據本發明的若干個實施例圖解說明由感測電路實施的可選擇邏輯操作結果的邏輯表。

具體實施方式