[發明專利]用于V族摻雜的薄膜堆疊件、包括薄膜堆疊件的光伏器件以及用于形成具有薄膜堆疊件的光伏器件的方法

在審

• 申請號: 201880027701.0
• 申請日: 2018-02-27
• 公開（公告）號: CN110546770A
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: S.格羅弗;李政昊;李曉萍;陸定原;R.馬利克;熊剛
• 申請（專利權）人: 第一陽光公司
• 主分類號: H01L31/0296
• 分類號: H01L31/0296
• 代理公司: 72001 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 付曼;楊美靈<國際申請>=PCT/US2

根據本文所提供的實施例，用于形成光伏器件的方法能夠包括使多個半導體層沉積。多個半導體層能夠包括摻雜有V族摻雜劑的摻雜層。摻雜層能夠包括硒化鎘或碲化鎘。該方法能夠包括使多個半導體層退火以形成吸收劑層。

對相關申請的交叉引用

本申請要求源于2017年2月27日提交的編號為62/464127的美國臨時專利申請的優先權，該臨時專利申請通過引用以其整體并入本文。

背景技術

本說明書一般涉及在薄膜光伏器件（photovoltaic device）中p型摻雜劑的使用，并且更具體地涉及在薄膜光伏器件中V族p型摻雜劑的使用。

光伏器件通過使用表現出光伏效應的半導體材料將光轉換成直流電力來生成電功率。某些類型的半導體材料可能難以制造。例如，與半導體材料相鄰提供的薄膜層可能引起光伏器件的不可操作性或不穩定性。將V族元素用作p型半導體的摻雜劑可能是特別困難的。

因此，存在對于并入V族p型摻雜劑的供薄膜光伏器件使用的備選薄膜堆疊件（stack）的需要。

發明內容

本文提供的實施例涉及供V 族摻雜劑使用的薄膜堆疊件。鑒于下面的詳細描述結合附圖，將更全面地理解由本文描述的實施例提供的這些特征及附加特征。

附圖說明

附圖中所闡明的實施例本質上是說明性和示范性的，而不意在限制由權利要求定義的主題。說明性實施例的以下詳細描述能夠在結合下面的附圖閱讀時被理解，在附圖中，同樣的結構用同樣的參考標號指示，并且在附圖中：

圖1示意性地描繪根據本文示出和描述的一個或多個實施例的光伏器件；

圖2示意性地描繪根據本文示出和描述的一個或多個實施例的襯底；

圖3示意性地描繪根據本文示出和描述的一個或多個實施例的光伏器件；以及

圖4和圖5示意性地描繪根據本文示出和描述的一個或多個實施例用于形成光伏器件的吸收劑層的膜堆疊件。

具體實施方式

薄膜光伏器件能夠包括襯底（或覆板（superstrate））上產生的多個層。例如，光伏器件能夠包括在襯底上以堆疊件形成的阻擋層、透明導電氧化物（TCO）層、緩沖層、吸收劑層（absorber layer）以及背接觸層。每個層又可以包括不止一個層或膜。例如，吸收劑層能夠由多個半導體層形成。

現在參考圖1，示意性地描繪光伏器件100的實施例。光伏器件100能夠配置成接收光并且將光變換成電信號，例如，能夠從光吸收光子并且經由光伏效應將光子變換成電信號。因此，光伏器件100能夠定義能量側102，能量側102配置成被暴露于諸如例如太陽之類的光源。光伏器件102還能夠定義從能量側102偏移的相對側104。注意，術語“光”能夠指電磁光譜的各種波長，諸如但不限于電磁光譜的紫外（UV）、紅外（IR）以及可見部分中的波長。光伏器件100能夠包括設置在能量側102與相對側104之間的多個層。如本文中所使用的術語“層”能夠指表面上提供的一定厚度的材料。另外，每個層能夠覆蓋該表面的全部或任何部分。

光伏器件100能夠包括配置成促進使光透射到光伏器件100中的襯底110。襯底110能夠設置在光伏器件100的能量側102。共同地參考圖1和圖2，襯底110能夠具有基本上與光伏器件100的能量側102面對的第一表面112以及基本上與光伏器件100的相對側104面對的第二表面114。一層或多層材料能夠設置在襯底110的第一表面112與第二表面114之間。