[發(fā)明專利]多晶硅破碎物的制造方法、以及管理多晶硅破碎物的表面金屬濃度的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880027331.0 | 申請日： | 2018-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN110621619B | 公開（公告）日： | 2023-08-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 西村茂樹 | 申請（專利權(quán)）人： | 株式會社德山 |
| 主分類號： | C01B33/035 | 分類號： | C01B33/035;B02C1/02;B02C13/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 呂琳;樸秀玉 |
| 地址： | 日本山口*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶 破碎 制造 方法 以及 管理 表面 金屬 濃度 | ||
1.一種多晶硅破碎物的制造方法，其包括：
通過西門子法來制造多晶硅棒的工序；
將多晶硅棒破碎，得到多晶硅破碎物的工序；以及
將多晶硅破碎物在清洗槽內(nèi)蝕刻來清洗的工序，
在該清洗工序中，將多晶硅小片組容納于能夠流通液體的容器并且以該多晶硅小片組相對于該能夠流通液體的容器的填充率為50％以下的方式進(jìn)行填充，并且使該多晶硅小片組存在于清洗槽內(nèi)，測定蝕刻處理前后的該多晶硅小片組的重量變化，管理清洗工序，所述多晶硅小片組由10～200個立方體的多晶硅小片構(gòu)成，立方體的所述多晶硅小片的一邊的長度為5～15mm、表面積為150～1350mm2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅破碎物的制造方法，其中，
清洗工序的管理通過如下方式來進(jìn)行：根據(jù)蝕刻處理前后的該多晶硅小片組的重量變化來計算出蝕刻速度，接著通過調(diào)節(jié)蝕刻處理的處理時間，控制成目標(biāo)蝕刻量。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅破碎物的制造方法，其中，
清洗工序前的該多晶硅小片組的總表面積[cm2]與測定多晶硅小片組的重量的秤的分辨率[g]之比即多晶硅小片組的總表面積[cm2]/秤的分辨率[g]為2.0×103～3.5×107[cm2/g]。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅破碎物的制造方法，其中，
測定該多晶硅小片組的蝕刻處理前后的重量的秤的分辨率為0.1～0.0001g。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的多晶硅破碎物的制造方法，其中，
將多晶硅小片組分散配置于清洗槽內(nèi)。
6.一種管理多晶硅破碎物的表面金屬濃度的方法，其是管理通過西門子法制造出的多晶硅棒的破碎物的表面金屬濃度的方法，
將多晶硅破碎物在清洗槽內(nèi)蝕刻來清洗時，將多晶硅小片組容納于能夠流通液體的容器并且以該多晶硅小片組相對于該能夠流通液體的容器的填充率為50％以下的方式進(jìn)行填充，并且使該多晶硅小片組存在于清洗槽內(nèi)，測定蝕刻處理前后的該多晶硅小片組的重量變化，所述多晶硅小片組由10～200個立方體的多晶硅小片構(gòu)成，立方體的所述多晶硅小片的一邊的長度為5～15mm、表面積為150～1350mm2。
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