[發明專利]具有相對于調制電極橫向移位的導電平面的高頻光學調制器

在審

• 申請號: 201880027322.1
• 申請日: 2018-02-21
• 公開（公告）號: CN110546563A
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 陳承坤;馬克西姆·普瓦里耶;拉古拉姆·納拉揚;米林德·戈卡萊;馬塞爾·熱拉爾·布德羅
• 申請（專利權）人: 新飛通光電公司
• 主分類號: G02F1/225
• 分類號: G02F1/225;G02F1/21
• 代理公司: 11021 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 紀雯<國際申請>=PCT/US2018/

1.一種光學調制器，包括：子基座、被設計為承載RF信號的導電路徑、以及光學芯片，所述光學芯片包括基板和兩個半導體光波導，沿著光波導表面的至少一部分具有導電元件，其中，所述光學芯片附接到所述子基座，其中光學芯片基板背離所述子基座取向并且所述兩個半導體光波導朝向所述子基座取向，其中，所述子基座包括從所述光學芯片的導電RF電極偏移的導電平面，其中，所述光學芯片還包括兩個導電RF電極和附加導電元件，所述兩個導電RF電極分別與對應的光波導相鄰，所述附加導電元件將所述導電RF電極中的一個導電RF電極沿對應的半導體波導的表面連接到對應的導電元件，并且其中所述導電路徑電連接到所述光學芯片的導電RF電極。

2.根據權利要求1所述的光學調制器，其中，所述光學芯片還包括分別與所述半導體光波導的端部連接的兩個光耦合器/分束器。

3.根據權利要求2所述的光學調制器，其中，一個光耦合器光連接到激光源，并且其中另一個光耦合器/分束器光連接到光纖。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的光學調制器，其中，所述導電路徑位于所述子基座上，并且其中附加導電材料在所述導電RF電極與所述子基座上的導電路徑之間形成電連接。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的光學調制器，其中，所述導電路徑連接到RF源。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的光學調制器，還包括絕緣柱，在所述光學芯片和所述子基座上的位置之間，使所述光學調制器穩定。

7.一種光學調制器，包括Mach-Zehnder干涉儀和與所述Mach-Zehnder干涉儀接口連接的一對RF電極，所述Mach-Zehnder干涉儀包括光分束器、兩個光波導臂和光合束器，所述光分束器連接到光輸入波導，所述兩個光波導臂光連接到所述光分束器，所述光合束器光連接到兩個光波導和輸出波導，其中，所述光波導包括半導體光學材料，電觸點位于光波導臂表面的部分上，并且所述一對RF電極中的每一個包括傳輸線電極和接地平面，所述傳輸線電極通過附加電極連接到相應光波導上的電觸點，并且所述接地平面在不同的平面中與所述傳輸線電極間隔開。

8.根據權利要求7所述的光學調制器，其中，所述半導體光波導各自包括固有的或不導電的半導體基層、相對于所述基層在所述固有的半導體層上方的摻雜的或導電的半導體層、相對于所述基層在所述第一摻雜的或導電的半導體層上方的第二固有的或不導電的半導體堆疊層、以及在所述第二固有的或不導電的半導體層上方的摻雜的或導電的半導體層，從而形成n-c-n-c結構，其中n表示不導電，并且c表示導電。

9.根據權利要求7或8所述的光學調制器，還包括子基座，并且其中所述半導體光波導的至少一部分被集成在與所述子基座組裝的光學芯片上，并且其中所述子基座包括所述接地平面。

10.根據權利要求9所述的光學調制器，還包括導電引線結合球，在所述光學芯片和所述子基座上的位置之間，使所述光學調制器穩定。

11.根據權利要求7至10中任一項所述的光學調制器，還包括一個附加的Mach-Zehnder干涉儀和與所述附加的Mach-Zehnder干涉儀相關聯的一對附加的RF電極，其中，所述附加的Mach-Zehnder干涉儀包括與光輸入波導連接的光分束器、與所述光分束器光連接的兩個光波導臂、以及與兩個光波導和輸出波導光連接的光合束器，每個Mach-Zehnder干涉儀的兩個輸入波導通過分束器連接到單個光輸入，每個Mach-Zehnder干涉儀的兩個輸出波導通過合束器連接到單個光輸出，其中所述光波導包括半導體光學材料，電接觸點位于光波導臂表面的部分上，并且一對附加的RF電極中的每一個包括通過附加電極連接到相應的光波導上的電觸點的傳輸線電極以及接地平面，接地平面在不同的平面中與所述傳輸線電極間隔開，其中，所得結構被稱為第一I-Q對的經調制Mach-Zehnder干涉儀。