[發明專利]批量處理裝載鎖定腔室在審
| 申請號: | 201880026697.6 | 申請日: | 2018-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN110546750A | 公開(公告)日: | 2019-12-06 |
| 發明(設計)人: | 歐內斯托·J·烏洛亞 | 申請(專利權)人: | 應用材料公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H05H1/46;H01L21/673;H01L21/677 |
| 代理公司: | 11006 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人: | 徐金國;趙靜<國際申請>=PCT/US2 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 腔室主體 鎖定腔室 裝載 多個基板 入口噴嘴 匣盒 遠程等離子體源 出口端口 處理區域 狹槽 改進 群集工具 上下移動 傳送 儲存 清潔 配置 | ||
1.一種裝載鎖定腔室,包括:
腔室主體,所述腔室主體限定處理區域,所述腔室主體具有多個出口端口和穿過所述腔室主體形成的多個基板傳送狹槽;
可移動軸,所述可移動軸設置在所述處理區域中;
匣盒,所述匣盒設置在所述可移動軸上,其中所述匣盒包括多個基板儲存狹槽;
升降致動器,所述升降致動器能操作地耦接到所述可移動軸以用于升高和降低所述匣盒;
多個入口噴嘴,所述多個入口噴嘴穿過所述腔室主體設置并且面對所述多個出口端口;
入口歧管,所述入口歧管設置在所述處理區域外,其中所述入口歧管將所述多個入口噴嘴流體地耦接到遠程等離子體源;以及
出口歧管,所述出口歧管設置在所述處理區域外,其中所述出口歧管流體地耦接到所述多個出口端口。
2.如權利要求1所述的裝載鎖定腔室,還包括一個或多個節流閥,所述一個或多個節流閥流體地耦接到所述多個出口端口并流體地耦接到穿過所述腔室主體形成的排氣端口,所述一個或多個節流閥能操作來控制通過所述多個出口端口相對于通過所述排氣端口的流量比。
3.如權利要求1所述的裝載鎖定腔室,還包括一個或多個加熱元件,所述一個或多個加熱元件設置在所述腔室主體的在所述處理區域中的壁上,所述一個或多個加熱元件包括電阻線圈、陶瓷加熱器、燈或它們的組合。
4.如權利要求1所述的裝載鎖定腔室,還包括一個或多個冷卻通道,所述一個或多個冷卻通道設置在所述腔室主體的所述壁中。
5.如權利要求3所述的裝載鎖定腔室,其中在所述處理區域中的所述壁的表面是反射性的。
6.一種裝載鎖定腔室,包括:
腔室主體,所述腔室主體限定處理區域并具有穿過所述腔室主體形成的多個基板傳送狹槽;
可移動軸,所述可移動軸設置在所述處理區域中;
匣盒,所述匣盒設置在所述可移動軸上,其中所述匣盒包括多個基板儲存狹槽;
升降致動器,所述升降致動器能操作地耦接到所述可移動軸以用于升高和降低所述匣盒;
遠程等離子體源;
多個入口噴嘴,所述多個入口噴嘴穿過所述腔室主體設置,所述多個入口噴嘴與所述遠程等離子體源流體連通;
多個出口端口,所述多個出口端口穿過所述腔室主體設置,跨所述處理區域面對所述多個入口噴嘴;
一個或多個加熱元件,所述一個或多個加熱元件設置在所述腔室主體的在所述處理區域中的壁上;
一個或多個冷卻通道,所述一個或多個冷卻通道形成在所述腔室主體的所述壁中;
入口歧管,所述入口歧管將所述遠程等離子體源流體地耦接到所述多個入口噴嘴;以及
出口歧管,所述出口歧管流體地耦接到所述多個出口端口。
7.如權利要求6所述的裝載鎖定腔室,其中所述一個或多個加熱元件包括電阻線圈、陶瓷加熱器、燈或它們的組合。
8.如權利要求6所述的裝載鎖定腔室,還包括一個或多個節流閥,所述一個或多個節流閥流體地耦接到所述多個出口端口并流體地耦接到穿過所述腔室主體形成的排氣端口,所述一個或多個節流閥能操作來控制通過所述多個出口端口相對于通過所述排氣端口的流量比。
9.如權利要求6所述的裝載鎖定腔室,還包括旋轉致動器,所述旋轉致動器耦接到所述可移動軸。
10.一種用于處理設置在裝載鎖定腔室中的多個基板的方法,包括:
通過穿過腔室主體形成的第一基板傳送狹槽用多個基板向設置在所述腔室主體的處理區域中的匣盒中裝載多個基板;
將所述匣盒升高到處理位置;
使氣態自由基水平地流過所述多個基板,其中所述自由基從與所述處理區域流體連通的遠程等離子體源輸送到所述處理區域;
將所述多個基板暴露于所述氣態自由基,與此同時旋轉所述匣盒;以及
通過穿過所述腔室主體形成的第二基板傳送狹槽將所述多個基板卸載出所述腔室主體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





