[發明專利]光電轉換器件和攝像器件

在審

• 申請號: 201880026588.4
• 申請日: 2018-05-15
• 公開（公告）號: CN110546766A
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發明（設計）人: 三成英樹;丸山俊介
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L31/10;H01L31/107
• 代理公司: 11290 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 曹正建;陳桂香<國際申請>=PCT/JP

1.一種光電轉換器件，其包括：

光吸收層，其具有光入射面，并包括化合物半導體材料；

針對每個像素設置的第一電極，其與所述光吸收層的所述光入射面的相對面具有對向關系；

第一導電型的第一半導體層，所述第一半導體層的帶隙能大于所述光吸收層的帶隙能，并設置在所述光吸收層和所述第一電極之間；

第二導電型的第二半導體層，所述第二半導體層的帶隙能大于所述光吸收層的帶隙能，并設置在所述第一半導體層和所述光吸收層之間；和

第二導電型的第一擴散區域，所述第一擴散區域設置在相鄰的所述像素之間，并設置為跨越所述第二半導體層和所述光吸收層。

2.根據權利要求1所述的光電轉換器件，其中，所述第一擴散區域在平面圖中設置為晶格形狀。

3.根據權利要求1所述的光電轉換器件，其還包括：

電荷收集層，其設置在所述第二半導體層和所述光吸收層之間，并臨時累積在所述光吸收層中產生的電荷。

4.根據權利要求1所述的光電轉換器件，其還包括：

勢壘減緩層，其設置在所述第二半導體層和所述光吸收層之間，并減緩所述第二半導體層和所述光吸收層之間的帶偏移勢壘。

5.根據權利要求1所述的光電轉換器件，其中，所述第二半導體層被構造為引起在所述光吸收層中產生的電荷的雪崩放大。

6.根據權利要求5所述的光電轉換器件，其還包括：

電場遞減層，其設置在所述第二半導體層和所述光吸收層之間，并抑制電場從所述第二半導體層到所述光吸收層的傳播。

7.根據權利要求1所述的光電轉換器件，其中，所述第一半導體層和所述第二半導體層具有分隔相鄰的所述像素的第一凹槽。

8.根據權利要求7所述的光電轉換器件，其中，所述第一凹槽在所述光吸收層中延伸。

9.根據權利要求7所述的光電轉換器件，其還包括：

絕緣膜，其設置為從所述第一半導體層的前表面到所述第一凹槽的側壁，覆蓋所述第一半導體層的側壁，并在所述第二半導體層的側壁的一部分上延伸。

10.根據權利要求7所述的光電轉換器件，其還包括：

遮光件，其埋置在所述第一凹槽中。

11.根據權利要求1所述的光電轉換器件，其還包括：

第二電極，其設置為與所述光吸收層的所述光入射面具有對向關系。

12.根據權利要求11所述的光電轉換器件，其中，所述第二電極設置在所述光吸收層的整個所述光入射面上。

13.根據權利要求11所述的光電轉換器件，其中，所述第二電極由遮光材料構成。

14.根據權利要求13所述的光電轉換器件，其還包括：

第二導電型的第二擴散區域，所述第二擴散區域設置在相鄰的所述像素之間，并位于所述光吸收層的布置有所述光入射面的一側。

15.根據權利要求14所述光電轉換器件，其中，

所述光吸收層的所述光入射面具有第二凹槽，并且

所述第二擴散區域設置在所述第二凹槽附近。

16.根據權利要求1所述的光電轉換器件，其還包括：

第三電極，其電耦接到所述第一擴散區域。

17.根據權利要求15所述光電轉換器件，其還包括：

第四電極，其電耦接到所述第二擴散區域，

其中，所述第四電極埋置在所述第二凹槽中。