[發明專利]防反射構件及其制造方法

有效

• 申請號: 201880025915.4
• 申請日: 2018-03-08
• 公開（公告）號: CN110537116B
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 山根祐治;片山理佐;酒匈隆介;松田高至
• 申請（專利權）人: 信越化學工業株式會社
• 主分類號: G02B1/18
• 分類號: G02B1/18;B32B9/00;B32B27/00;C09D171/02;C23C14/06;G02B1/115
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 杜麗利

1.防反射構件，其中，在基材上的多層防反射層表面的均方根面粗糙度為0.8nm以上且2.0nm以下的多層防反射層上，具有膜厚1～30nm的防水防油層，

所述防水防油層與該多層防反射層表面接觸，并且為以含有氟代氧亞烷基的聚合物改性有機硅化合物和/或其部分水解縮合物作為主成分的防水防油劑的固化物,

所述多層防反射層僅使用了選自MgO、SiO、SiO₂、CeF₃、NdF₃、LaF₃、AlF₃、YF₃、BaF₂、CaF₂、Al₂O₃、其中x為1～1.5的正數的SiN_x、ITO、In₂O₃、SnO₂、ZrO₂、TiO₂、Ti₂O₃、Ti₄O₇、Ti₃O₅、其中x’為1～4的正數且y為1～12的正數的TiN_x'O_y、Nb₂O₅、Ta₂O₅、Y₂O₃、ZnS、WO₃、HfO₂和La₂Ti₂O₇中的至少2種，

所述含有氟代氧亞烷基的聚合物改性有機硅化合物為選自由下述通式(1)、(3)和(4)表示的化合物中的至少一種：

(A-Rf)_α-ZW_β (1)

Z’-(Rf-ZW_β)_γ (3)

通式(1)和通式(3)中，Rf為-(CF₂)_d-O-(CF₂O)_p(CF₂CF₂O)_q(CF₂CF₂CF₂CF₂O)_s(CF(CF₃)CF₂O)_t-(CF₂)_d-，d為0～8的整數，p、q、s、t各自獨立地為0～200的整數，p+q+s+t+2d為使氟聚合物部分的數均分子量成為4500以上且10000以下的數，上述(CF₂O)_p(CF₂CF₂O)_q(CF₂CF₂CF₂CF₂O)_s(CF(CF₃)CF₂O)_t中括弧內所示的各單元可無規地鍵合，A為氟原子、氫原子、或者末端為-CF₃基、-CF₂H基或-CH₂F基的1價的含氟基團，Z、Z’獨立地為單鍵、或者可含有氮原子、氧原子、硅原子、磷原子或硫原子、可被氟取代的2～8價的有機基團，W獨立地為在末端具有水解性基團的1價的有機基團，α、β各自獨立地為1～7的整數，并且為α+β＝2～8，γ為2～8的整數，其中，通式(3)中，γ＝2，并且Z’為單鍵的情形下，β為2～7的整數，

A-Rf-Q-(Y)_δ-B (4)

通式(4)中，Rf、A與上述相同，Q為單鍵或2價的有機基團，Y為具有水解性基團的2價的有機基團，δ為1～10的整數，B為氫原子、碳原子數1～4的烷基或鹵素原子。