[發明專利]包括乙硅烷基胺化合物的含硅薄膜沉積組合物以及用其制備含硅薄膜的方法有效
| 申請號： | 201880025614.1 | 申請日： | 2018-04-19 |
| 公開（公告）號： | CN110546210B | 公開（公告）日： | 2021-12-14 |
| 發明（設計）人： | 金成基;張世珍;楊炳日;樸重進;李相道;樸廷主;李三東;樸建柱;李相益;金銘云 | 申請（專利權）人： | DNF有限公司 |
| 主分類號： | C09D4/00 | 分類號： | C09D4/00;H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 成都超凡明遠知識產權代理有限公司 51258 | 代理人： | 金相允;梁香美 |
| 地址： | 韓國大*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 包括 硅烷 化合物 薄膜 沉積 組合 以及 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于沉積含硅薄膜的組合物，包括由以下化學式2表示的乙硅烷基胺化合物：
[化學式2]
所述化學式2中，
R為C1-C7烷基，R11至R14各自獨立地為氫或C1-C5烷基。
2.根據權利要求1所述的用于沉積含硅薄膜的組合物，其中，
所述化學式2的乙硅烷基胺化合物選自由以下化合物組成的組：
。
3.一種含硅薄膜的制造方法，其特征在于，包括：
使用根據權利要求1或2所述的用于沉積含硅薄膜的組合物進行沉積的步驟。
4.根據權利要求3所述的含硅薄膜的制造方法，其中，
所述制造方法通過原子層沉積、化學氣相沉積、金屬有機化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積、等離子體增強化學氣相沉積或等離子體增強原子層沉積來執行。
5.根據權利要求3所述的含硅薄膜的制造方法，包括：
a步驟，將安裝在腔室中的基底的溫度保持在30至400 ℃；
b步驟，注入載氣和權利要求1所述的用于沉積含硅薄膜的組合物；以及
c步驟，注入反應氣體以在所述基底上沉積所述含硅薄膜。
6.根據權利要求5所述的含硅薄膜的制造方法，其中，
所述反應氣體是選自以下組成的組的任何一種或兩種或多種：氧氣、臭氧、蒸餾水、過氧化氫、一氧化氮、氧化亞氮、二氧化氮、氨、氮氣、肼、胺、二胺、一氧化碳、二氧化碳、C1至C12飽和或不飽和烴、氫氣、氬氣和氦氣。
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