[發明專利]一種LED芯片結構

有效

• 申請號: 201880025547.3
• 申請日: 2018-06-29
• 公開（公告）號: CN110800116B
• 公開（公告）日: 2023-08-01
• 發明（設計）人: 王晶;張昀;吳俊毅
• 申請（專利權）人: 天津三安光電有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種LED芯片結構，其包括一襯底，襯底上的一半導體序列，一反射層序列配置在襯底和半導體序列之間，反射層序列具有一面向半導體序列的增透膜層和一相對增透膜遠離半導體序列的金屬鏡面層，半導體序列包括：第一導電性半導體層、發光層和第二導電性半導體層，其特征在于：半導體序列與增透膜之間的界面部分區域為粗化面，增透膜層與金屬鏡面層的界面是光滑面，定義所述半導體序列與增透膜之間的粗化面具有平均粗糙度為Rz，所述的增透膜層與金屬反射層之間的界面的粗糙度Rz’，粗糙度Rz’為表面結構輪廓的最大高度，粗糙度Rz’為平均粗糙度Rz的一半以下；半導體序列與增透膜之間的界面部分區域為粗化面，其中部分區域是指半導體序列與增透膜之間的中間部分為粗化面，半導體序列與增透膜之間的邊緣區域設置為光滑面；所述邊緣區域到所述半導體序列的側壁的距離小于等于半導體序列厚度。

2.根據權利要求1所述的LED芯片結構，其特征在于：半導體序列還包括電流擴展層，半導體序列與增透膜之間的界面為電流擴展層與增透膜層之間的界面，所述電流擴展層與增透膜層之間的界面為粗化面。

3.根據權利要求1所述的LED芯片結構，其特征在于：所述的增透膜層為透明導電層，其折射率低于半導體序列折射率。

4.根據權利要求1所述的LED芯片結構，其特征在于：半導體序列的側面為粗化面或圖案化面。

5.根據權利要求1所述的LED芯片結構，其特征在于：半導體序列的頂面出光面是粗化處理面。

6.根據權利要求1所述的LED芯片結構，其特征在于：定義所述的半導體序列與增透膜之間的界面的漫反射率為R1，而增透膜與金屬鏡面層界面的漫反射率為R1的至少三分之一。

7.根據權利要求1所述的LED芯片結構，其特征在于：所述的增透膜層為介電層，其折射率低于半導體序列折射率，所述的增透膜層的厚度為100-1000納米。

8.根據權利要求7所述的LED芯片結構，其特征在于：所述介電層中設置孔，孔中沉積有金屬材料，金屬材料相同或不同于金屬鏡面層，并用于金屬鏡面層與半導體序列的電連通。

9.根據權利要求7所述的LED芯片結構，其特征在于：所述介電層中設置孔，孔中沉積透明導電層，用于金屬鏡面層與半導體序列的電連通。

10.根據權利要求2所述的LED芯片結構，其特征在于：所述的電流擴展層為磷化鎵，所述的電流擴展層的厚度至少0.5微米。

11.根據權利要求2所述的LED芯片結構，其特征在于：所述的電流擴展層的厚度1-2μm。

12.根據權利要求1所述的LED芯片結構，其特征在于：所述的襯底為導電襯底，并且在背面有背面金屬，背面金屬用于與半導體序列中靠近增透膜側的半導電性半導體層進行電連接。

13.根據權利要求1所述的LED芯片結構，其特征在于：所述的襯底為非導電襯底。

14.根據權利要求13所述的LED芯片結構，其特征在于：所述粗糙度Rz’為平均粗糙度Rz的四分之一以下。