[發(fā)明專利]存儲器陣列

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880025498.3
• 申請日: 2018-05-08
• 公開（公告）號: CN110520989B
• 公開（公告）日: 2023-09-29
• 發(fā)明（設計）人: M·C·羅伯茨;S·D·唐;F·D·菲什伯恩
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H10B41/27
• 分類號: H10B41/27;H10B41/30;H10B41/40
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種存儲器陣列，其包括：

絕緣材料及存儲器單元的垂直交替層級，所述存儲器單元個別地包括：

晶體管，其包括中間具有溝道區(qū)的第一源極/漏極區(qū)及第二源極/漏極區(qū)以及可操作地接近所述溝道區(qū)的柵極，所述溝道區(qū)包括在直線水平橫截面中的環(huán)形物，所述溝道區(qū)的至少部分水平地定向以用于所述第一源極/漏極區(qū)與所述第二源極/漏極區(qū)之間的所述部分中的水平電流流動；及

電容器，其包括中間具有電容器絕緣體的第一電極及第二電極，所述第一電極電耦合到所述第一源極/漏極區(qū)，所述陣列中的多個所述電容器的第二電容器電極彼此電連接；及

感測線結構，其豎向延伸通過所述垂直交替層級，不同存儲器單元層級中的所述晶體管中的個別者的所述第二源極/漏極區(qū)中的個別者電直接連接到所述豎向延伸的感測線結構。

2.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中所有所述溝道區(qū)水平地定向以便水平電流從中流過。

3.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中所述第一電極直接電耦合到所述第一源極/漏極區(qū)。

4.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中所述個別第二源極/漏極區(qū)直接電耦合到所述豎向延伸的感測線結構。

5.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中所述感測線結構直接電耦合到位于所述垂直交替層級上方或下方的水平縱向伸長的感測線。

6.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中所述多個電容器的所述第二電容器電極彼此直接電耦合。

7.根據(jù)權利要求6所述的陣列，其包括水平縱向伸長且將所述多個電容器的所述第二電容器電極彼此直接電耦合的豎向延伸壁。

8.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中在直線垂直橫截面中所述第二電極位于所述第一電極正上方及正下方。

9.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中在任何直線垂直橫截面中所述第二電極不位于所述第一電極正上方及正下方。

10.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中在直線垂直橫截面中所述第一電極位于所述第二電極正上方及正下方。

11.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中所述溝道區(qū)包括在直線垂直橫截面中相對于彼此豎向隔開的兩個溝道片段。

12.根據(jù)權利要求11所述的陣列，其中所述兩個溝道片段彼此直接電耦合。

13.根據(jù)權利要求12所述的陣列，其中所述兩個溝道片段通過所述第一源極/漏極區(qū)彼此直接電耦合。

14.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中所述存儲器單元層級中的個別者包括所述存儲器單元中的兩者，在所述個別存儲器單元層中所述兩個存儲器單元中的一者位于另一者正上方。

15.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中所述存儲器單元層中的個別者不具有所述存儲器單元中的兩者，在所述個別存儲器單元層中所述兩個存儲器單元位于彼此正上方及正下方。

16.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中所述存儲器單元層級中的個別者包括所述柵極及另一柵極，在所述個別存儲器單元層級中所述柵極及所述另一柵極中的一者位于另一者正上方。

17.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中在直線水平橫截面中所述第一源極/漏極區(qū)包括環(huán)形物。

18.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中在直線水平橫截面中所述第二源極/漏極區(qū)包括環(huán)形物。

19.根據(jù)權利要求1所述的陣列，其中在直線水平橫截面中所述第一電極包括環(huán)形物。