[發(fā)明專利]發(fā)光組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880025489.4
• 申請(qǐng)日: 2018-06-11
• 公開（公告）號(hào): CN110546751A
• 公開（公告）日: 2019-12-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉同凱;丁紹瀅;徐宸科;李佳恩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門三安光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/683
• 分類號(hào): H01L21/683;H01L27/15;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: <國際申請(qǐng)>=PCT/CN2018/09

1.發(fā)光組件，包括：復(fù)數(shù)個(gè)發(fā)光二極管，發(fā)光二極管包括半導(dǎo)體層序列，半導(dǎo)體序列至少由第一類型半導(dǎo)體層、第二類型半導(dǎo)體層及位于第一類型半導(dǎo)體層和第二類型半導(dǎo)體層之間的有源發(fā)光層組成，與第一類型半導(dǎo)體層電連接的第一電接觸層，與第二類型半導(dǎo)體層電連接的第二電接觸層，

用于向發(fā)光二極管提供支撐的支架，

其特征在于，支架和發(fā)光二極管之間設(shè)置有用于粘附發(fā)光二極管的連續(xù)或者分離的粘膜，發(fā)光二極管有規(guī)則地排布在粘膜上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，有規(guī)則的排布是通過多次向粘膜轉(zhuǎn)移發(fā)光二極管而獲得的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，粘膜為可移除材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，粘膜在粘附發(fā)光二極管過程中為穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，粘膜具有固定發(fā)光二極管的功能，并能夠在物理或化學(xué)作用下釋放發(fā)光二極管。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，粘膜的厚度為5~100μm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，粘膜表面具有復(fù)數(shù)個(gè)臺(tái)狀凸起，臺(tái)狀凸起的凸面與發(fā)光二極管接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光組件，其特征在于，臺(tái)狀凸起形狀為長方體、圓臺(tái)、棱柱或其他柱狀結(jié)構(gòu)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光組件，其特征在于，臺(tái)狀凸起之間的間距為20~600μm。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光組件，其特征在于，臺(tái)狀凸起的高度大于發(fā)光二極管的厚度。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光組件，其特征在于，臺(tái)狀凸起的高度為10~20μm。

12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光組件，其特征在于，臺(tái)狀凸起是粘膜粘附發(fā)光二極管之前或者之后通過至少移除位于發(fā)光二極管之間的部分粘膜形成的。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光組件，其特征在于，發(fā)光二極管側(cè)壁具有由粘膜材料構(gòu)成的薄膜。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光組件，其特征在于，薄膜的厚度為3~10μm。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光組件，其特征在于，薄膜的折射率為1.2~2。

16.根據(jù)權(quán)利要求1或13所述的發(fā)光組件，其特征在于，粘膜的硬度為15~50J/m³。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，粘膜材料包括聚酰亞胺、紫外光敏膠、熱敏膠、水溶膠、硅膠。

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)包括正裝結(jié)構(gòu)、倒裝結(jié)構(gòu)或者垂直結(jié)構(gòu)。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其特征在于，發(fā)光二極管在與粘膜接觸的一面和/或在與粘膜接觸的一面相鄰的側(cè)壁上具有保護(hù)層。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光組件，其特征在于，保護(hù)層的作用包括抗腐蝕、抗水汽或者抗氧化。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光組件，其特征在于，保護(hù)層材料包括硅、氧化硅、氮化硅或者環(huán)氧樹脂。