[發(fā)明專利]硅晶片的金屬污染分析方法和硅晶片的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880025413.1
• 申請(qǐng)日: 2018-02-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110494734B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 水野泰輔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 勝高股份有限公司
• 主分類號(hào): G01N1/28
• 分類號(hào): G01N1/28;H01L21/66
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張桂霞;楊戩

1.硅晶片的金屬污染分析方法，所述分析方法包括：

使分析對(duì)象的硅晶片的表面與包含氟化氫氣體和硝酸氣體的蝕刻氣體接觸，由此將該硅晶片的表層區(qū)域蝕刻；

使上述硅晶片的通過(guò)上述蝕刻而暴露的表面與從包含鹽酸和硝酸的混合酸中產(chǎn)生的氣體接觸；

將與從上述混合酸中產(chǎn)生的氣體接觸之后的硅晶片加熱；

使上述加熱后的硅晶片的通過(guò)上述蝕刻而暴露的表面與回收液接觸；以及

分析與上述硅晶片的通過(guò)上述蝕刻而暴露的表面接觸之后的回收液中的金屬成分。

2.權(quán)利要求1所述的硅晶片的金屬污染分析方法，其中，與從上述混合酸中產(chǎn)生的氣體接觸之后的硅晶片的加熱是將該硅晶片加熱至200~350℃的晶片表面溫度。

3.權(quán)利要求1或2所述的硅晶片的金屬污染分析方法，所述分析方法包括：使上述蝕刻氣體從包含氫氟酸、硝酸和硅片的溶液中產(chǎn)生。

4.權(quán)利要求3所述的硅晶片的金屬污染分析方法，所述分析方法包括：通過(guò)將上述溶液加熱來(lái)促進(jìn)上述蝕刻氣體的產(chǎn)生。

5.權(quán)利要求4所述的硅晶片的金屬污染分析方法，所述分析方法包括：將上述溶液加熱至液溫30~60℃。

6.權(quán)利要求4所述的硅晶片的金屬污染分析方法，所述分析方法包括：將上述溶液加熱至液溫30~50℃。

7.權(quán)利要求4~6中任一項(xiàng)所述的硅晶片的金屬污染分析方法，所述分析方法包括：通過(guò)安裝于密封容器的橡膠加熱器進(jìn)行上述溶液的加熱，所述密封容器包含上述溶液、和以與該溶液不接觸的狀態(tài)配置的上述分析對(duì)象的硅晶片。

8.硅晶片的制造方法，所述制造方法包括：

準(zhǔn)備包含多個(gè)硅晶片的硅晶片批次；

通過(guò)權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的方法分析上述硅晶片批次內(nèi)的至少1個(gè)硅晶片的金屬污染；和

將上述分析的結(jié)果中與金屬污染水平被判定為容許水平的硅晶片同一批次內(nèi)的其他的1個(gè)以上的硅晶片交付出貨為產(chǎn)品硅晶片的準(zhǔn)備。

9.硅晶片的制造方法，所述制造方法包括：

在評(píng)價(jià)對(duì)象的制造工序中制造硅晶片；

通過(guò)權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的方法分析上述所制造的硅晶片的金屬污染；和

在制造分析的結(jié)果為金屬污染水平被判定為容許水平的硅晶片的制造工序中、或者在制造金屬污染水平被判定為超過(guò)容許水平的硅晶片的制造工序中實(shí)施了金屬污染降低處理之后的該制造工序中，制造硅晶片。

10.權(quán)利要求9所述的硅晶片的制造方法，上述評(píng)價(jià)對(duì)象的制造工序包含熱處理爐；

在上述分析的結(jié)果中金屬污染水平被判定為超過(guò)容許水平的情況下，對(duì)上述熱處理爐實(shí)施上述金屬污染降低處理。