[發(fā)明專利]攝像元件、層疊式攝像元件和固態(tài)攝像裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880025131.1
• 申請(qǐng)日: 2018-04-17
• 公開（公告）號(hào): CN110520998B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 森脅俊貴;兼田有希央
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司;索尼半導(dǎo)體解決方案公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H10K39/32;H04N23/10;H04N25/70;H04N25/79
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 陳桂香;曹正建

1.一種攝像元件，包括：

光電轉(zhuǎn)換單元，其包括層疊的第一電極、光電轉(zhuǎn)換層和第二電極，

其中，在所述第一電極與所述光電轉(zhuǎn)換層之間形成有無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層，并且

所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層包含選自由銦、鎢、錫和鋅組成的群組中的至少兩種元素。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像元件，其中

所述光電轉(zhuǎn)換單元還包括絕緣層和電荷累積用電極，

所述電荷累積用電極與所述第一電極分開布置著，并被布置成隔著所述絕緣層面向所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像元件，其中

所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層不包含鎵原子。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像元件，其中

所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層包括銦-鎢氧化物(IWO)、銦-鎢-鋅氧化物(IWZO)、銦-錫-鋅氧化物(ITZO)、或鋅-錫氧化物(ZTO)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像元件，其中

所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層包括銦-鎢-鋅氧化物(IWZO)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像元件，其中

所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層包括銦-鎢氧化物(IWO)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像元件，其中

用于構(gòu)成位于所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層附近的所述光電轉(zhuǎn)換層的部分的材料的LUMO值E₁和用于構(gòu)成所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層的材料的LUMO值E₂滿足以下表達(dá)式：

E₁-E₂<0.2eV

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的攝像元件，其中

用于構(gòu)成位于所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層附近的所述光電轉(zhuǎn)換層的部分的材料的LUMO值E₁和用于構(gòu)成所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層的材料的LUMO值E₂滿足以下表達(dá)式：

E₁-E₂<0.1eV

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像元件，其中

用于構(gòu)成所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層的材料的遷移率在10cm²/V·s以上。

10.一種攝像元件，包括：

光電轉(zhuǎn)換單元，其包括層疊的第一電極、光電轉(zhuǎn)換層和第二電極，

其中，在所述第一電極與所述光電轉(zhuǎn)換層之間形成有無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層，并且

用于構(gòu)成位于所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層附近的所述光電轉(zhuǎn)換層的部分的材料的LUMO值E₁和用于構(gòu)成所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層的材料的LUMO值E₂滿足以下表達(dá)式：

E₁-E₂<0.2eV

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的攝像元件，其中

用于構(gòu)成位于所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層附近的所述光電轉(zhuǎn)換層的部分的材料的LUMO值E₁和用于構(gòu)成所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層的材料的LUMO值E₂滿足以下表達(dá)式：

E₁-E₂<0.1eV

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的攝像元件，其中

用于構(gòu)成所述無(wú)機(jī)氧化物半導(dǎo)體材料層的材料的遷移率在10cm²/V·s以上。