[發(fā)明專利]耐久的低輻射率窗膜構(gòu)造

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880025004.1
• 申請日: 2018-04-12
• 公開（公告）號: CN110506091B
• 公開（公告）日: 2021-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 拉古納特·帕迪亞斯;格雷戈里·F·金;斯蒂芬·P·梅基
• 申請（專利權(quán)）人: 3M創(chuàng)新有限公司
• 主分類號: C09J7/30
• 分類號: C09J7/30;B32B15/04
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 孫微;金小芳

1.一種膜，所述膜依次包括以下彼此緊鄰的元件：

·基材；

·第一輻射固化的丙烯酸酯層；

·第一包含硅化合物的層，其中所述硅化合物選自氧化硅鋁、氧氮化硅鋁、氧化硅、氧氮化硅、氮化硅、氮化硅鋁以及它們的組合，和

·第一包含氧化鋅錫的層，其中所述層具有4nm至8nm的厚度；

·金屬層；

·第二包含氧化鋅錫的層，其中所述層具有4nm至8nm的厚度；

·第二包含硅化合物的層，其中所述硅化合物選自氧化硅鋁、氧氮化硅鋁、氧化硅、氧氮化硅、氮化硅、氮化硅鋁以及它們的組合，和

·第二輻射固化的丙烯酸酯層；

其中所述膜具有小于0.2的輻射率，

其中所述第一包含硅化合物的層的厚度加上所述第一包含氧化鋅錫的層的厚度之和為15nm至30nm，

其中所述第二包含硅化合物的層的厚度加上所述第二包含氧化鋅錫的層的厚度之和為9nm至15nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的膜，其中所述第一包含硅化合物的層的厚度加上所述第一包含氧化鋅錫的層的厚度加上所述第二包含硅化合物的層的厚度加上所述第二包含氧化鋅錫的層的厚度之和為25nm至40nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜，其中所述第一包含硅化合物的層的厚度加上所述第一包含氧化鋅錫的層的厚度之和為T1，其中所述第二包含硅化合物的層的厚度加上所述第二包含氧化鋅錫的層的厚度之和為T2，并且其中T1-T2大于5nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜，其中所述膜在70℃的黑板溫度和30％的濕度下，當(dāng)輻照通過所述基材時，在暴露于在295nm至385nm波段和時間內(nèi)積分的720MJ/m2總輻照度之后具有小于2的反射ΔL*值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜，其中所述膜在70℃的黑板溫度和30％的濕度下，當(dāng)輻照通過所述基材時，在暴露于在295nm至385nm波段和時間內(nèi)積分的720MJ/m2總輻照度之后具有小于2的反射Δa*值。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜，其中所述膜在70℃的黑板溫度和30％的濕度下，當(dāng)輻照通過所述基材時，在暴露于在295nm至385nm波段和時間內(nèi)積分的720MJ/m2總輻照度之后具有小于5的反射Δb*值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜，其中所述膜在70℃的黑板溫度和30％的濕度下，當(dāng)輻照通過所述基材時，在暴露于在295nm至385nm波段和時間內(nèi)積分的720MJ/m2總輻照度之后具有小于5的反射ΔE*值。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜，其中所述膜在70℃的黑板溫度和30％的濕度下，當(dāng)輻照通過所述基材時，在暴露于在295nm至385nm波段和時間內(nèi)積分的720MJ/m2總輻照度之后具有小于0.02的輻射率增長。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜，其中所述第二輻射固化的丙烯酸酯層包含氟丙烯酸酯聚合物。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜，其中所述膜在透射和反射兩者中為由CIELAB色值所定義的基本上中性的顏色，其中“基本上中性的顏色”是指所述膜具有根據(jù)ASTM E308測量的a*為-10至+10且b*為-10至+10的CIE L*a*b顏色坐標(biāo)。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜，所述膜還包括染色的PET層，所述PET層與所述基材相鄰、與所述第一輻射固化的丙烯酸酯層相對。

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜，其中所述金屬層包含銀-金合金。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的膜，其中所述第一輻射固化的丙烯酸酯層具有500nm至1500nm的厚度。