[發明專利]具有用于在啟動時保護組件的輔助晶體管的轉換器裝置和方法

有效

• 申請號: 201880024933.0
• 申請日: 2018-04-26
• 公開（公告）號: CN110574269B
• 公開（公告）日: 2021-11-19
• 發明（設計）人: 傅電波;葉飛;石磊
• 申請（專利權）人: 華為數字能源技術有限公司
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種包括轉換器電路的裝置，其特征在于，所述轉換器電路包括：

電感器，包括：用于耦合到電源的第一端子，以及第二端子；

耦合到所述電感器的所述第二端子的一對串聯耦合的晶體管，其中這對串聯耦合的晶體管之間有晶體管中間節點；

耦合到所述電感器的所述第二端子的一對串聯耦合的二極管，其中這對串聯耦合的二極管之間有二極管中間節點；

與所述串聯耦合的晶體管和所述串聯耦合的二極管并聯耦合的第一電容器；以及

包括與輔助晶體管串聯耦合的第二電容器的子電路，其中所述子電路耦合在所述晶體管中間節點與所述二極管中間節點之間；

所述轉換器電路用于在啟動時激活所述輔助晶體管，從而在所述電源耦合不當的情況下降低至少部分所述轉換器電路的電壓應力。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述輔助晶體管降低了這對串聯耦合的晶體管中的至少一個晶體管上的電壓應力。

3.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述輔助晶體管降低了這對串聯耦合的二極管中的至少一個二極管上的電壓應力。

4.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述輔助晶體管與這對串聯耦合的晶體管的類型相同。

5.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述輔助晶體管與這對串聯耦合的晶體管的類型不同。

6.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述子電路還包括與所述輔助晶體管并聯耦合的第三電容器。

7.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述子電路還包括與所述輔助晶體管并聯耦合的電阻器。

8.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述輔助晶體管是絕緣柵極雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor，簡稱IGBT)。

9.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述輔助晶體管是金屬氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor field-effect transistor，簡稱MOSFET)。

10.一種操作轉換器電路的方法，用于啟動轉換器電路，其特征在于，

所述轉換器電路包括：

電感器，所述電感器包括用于耦合到電源的第一端子，以及第二端子；

耦合到所述電感器的所述第二端子的一對串聯耦合的晶體管，其中這對串聯耦合的晶體管之間有晶體管中間節點；

耦合到所述電感器的所述第二端子的一對串聯耦合的二極管，其中這對串聯耦合的二極管之間有二極管中間節點；與所述串聯耦合的晶體管和所述串聯耦合的二極管并聯耦合的第一電容器；以及包括與輔助晶體管串聯耦合的第二電容器的子電路，其中所述子電路耦合在所述晶體管中間節點與所述二極管中間節點之間；

所述方法包括：

在連接啟動時，激活所述輔助晶體管以降低至少部分所述轉換器電路的電壓應力；其中，所述輔助晶體管在所述電源耦合不當的情況下降低至少部分所述轉換器電路的所述電壓應力。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述輔助晶體管降低了這對串聯耦合的晶體管中的至少一個晶體管的電壓應力。

12.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述輔助晶體管降低了這對串聯耦合的二極管中的至少一個二極管的電壓應力。

13.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述輔助晶體管與這對串聯耦合的晶體管的類型相同。

14.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述輔助晶體管與這對串聯耦合的晶體管的類型不同。