[發(fā)明專利]光檢測器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880024309.0 | 申請日: | 2018-04-09 |
| 公開(公告)號: | CN110622324B | 公開(公告)日: | 2023-03-14 |
| 發(fā)明(設計)人: | 東謙太;尾崎憲幸;柏田真司;木村禎祐;高井勇;松原弘幸;太田充彥;平塚誠良 | 申請(專利權)人: | 株式會社電裝 |
| 主分類號: | H01L31/107 | 分類號: | H01L31/107 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227 | 代理人: | 金雪梅;王瑋 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測器 | ||
光檢測器具備:受光部(2),具備構成為響應光子的入射的SPAD(4),并構成為若SPAD作出響應則受光部輸出脈沖信號;以及脈沖率控制電路(20),構成為控制受光部的靈敏度,以使來自受光部的脈沖信號的每單位時間的輸出數(shù)亦即脈沖率成為預先設定的設定值、包含該設定值的設定范圍內、該設定值以上、或者該設定值以下。
相關申請的交叉引用
本國際申請主張基于在2017年4月12日向日本專利廳申請的日本專利申請第2017-79163號的優(yōu)先權,通過參照將日本專利申請第2017-79163號的全部內容引用至本國際申請。
技術領域
本公開涉及利用雪崩效應的光檢測器。
背景技術
以往,作為利用雪崩效應的光檢測器,已知有使雪崩光電二極管(以下,APD)以蓋革模式動作來進行光檢測的光檢測器。
以蓋革模式動作的APD被稱為SPAD,通過作為反向偏置電壓施加比擊穿電壓高的電壓進行動作。此外,SPAD是Single Photon Avalanche Diode(單光子雪崩二極管)的縮寫。
由于SPAD因光子的入射而擊穿,所以這種光檢測器通常構成為檢測SPAD擊穿時的電壓變化,并輸出規(guī)定脈沖寬度的數(shù)字脈沖(以下,脈沖信號)。
然而,由于該脈沖信號的每單位時間的輸出數(shù)亦即脈沖率根據(jù)周圍的光量發(fā)生變化,所以在非常強的干擾光等入射至光檢測器的情況下,脈沖率增大。而且,若脈沖率增大,則對后段的處理電路帶來負擔,根據(jù)情況,有超過處理電路的處理能力,而處理電路成為飽和狀態(tài)的情況。
因此,在將這種光檢測器安裝于車輛利用于測距裝置的情況下,隨著脈沖率的增大,測距精度降低,根據(jù)情況,有無法測距的情況。
因此,在這種光檢測器中,在脈沖率增大的環(huán)境下,需要對包含SPAD的受光部的靈敏度進行調整,使脈沖率降低,作為用于該目的的裝置,提出了專利文獻1所記載的技術。
換句話說,在專利文獻1所記載的測距裝置中,構成為使用參照受光元件預先測定下次的測距點的光量,并根據(jù)該測定出的光量,使對SPAD施加的反向偏置電壓等變化,來調整受光部的靈敏度。
在該提出的裝置中,由于根據(jù)測定出的光量來調整受光部的靈敏度,所以在下次的測距點入射較強的干擾光的情況下,能夠使受光部的靈敏度降低,并抑制從受光部輸出的脈沖信號的脈沖率。
專利文獻1:日本特開2014-81254號公報
然而,發(fā)明人詳細研究的結果,在上述提出的裝置中,為了受光部的靈敏度調整,需要設置參照受光元件來測定下次的測距點的光量,所以裝置結構變得復雜。
另外,由于為了進行靈敏度調整,需要根據(jù)使用參照受光元件測定出的光量來設定反向偏置電壓等的控制值,所以為了控制值設定,需要光量-控制值轉換數(shù)據(jù)。因此,在設計靈敏度調整用的控制部時,也存在需要通過實測等預先求出光量-控制值轉換數(shù)據(jù),控制部的設計很麻煩的問題。
另外,若受光部的特性有偏差,則由于從光量-控制值轉換數(shù)據(jù)獲得的控制值偏離最佳值,所以在利用上述提出的裝置調整受光部的靈敏度時,也存在無法吸收受光部的特性的偏差的問題。
另外,在上述提出的裝置中,較強的干擾光入射至受光部的情況下,雖然能夠使受光部的靈敏度降低,但無法將脈沖率控制為與后段的處理電路的能力相應的所希望的值。因此,也有后段的處理電路的負荷增加,且無法可靠地防止測距精度降低的問題。
發(fā)明內容
本公開的一個方面希望在利用SPAD進行光檢測的光檢測器中,不利用光量測定用的其它的檢測器就能夠調整受光部的靈敏度,并且,能夠根據(jù)后段的處理電路的能力適當?shù)貙嵤┰撿`敏度調整。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





