[發明專利]相對于硅選擇性蝕刻硅-鍺的調配物

有效

• 申請號: 201880024145.1
• 申請日: 2018-04-11
• 公開（公告）號: CN110494961B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發明（設計）人: S·M·比洛迪奧
• 申請（專利權）人: 恩特格里斯公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306;H01L29/06
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 李婷

1.一種從微電子裝置的表面相對于含硅材料選擇性移除硅-鍺的方法，所述方法包含：

提供包括硅和硅-鍺的微電子裝置表面，

提供包含以下組分的水性蝕刻組合物：

氟化氫，

經溶解過氧化氫，

經溶解乙酸，

經溶解甲酸，和

經溶解硫酸，且

在有效地相對于所述硅選擇性移除硅-鍺的溫度下使所述表面與所述硅-鍺選擇性蝕刻組合物接觸一段時間。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述硅-鍺具有下式：Si_x:Ge_y，其中x在約0.70至0.90的范圍內，并且y在約0.10至約0.30的范圍內，其中x+y＝1.00。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述蝕刻組合物含有小于10重量份氟化氫/100重量份所述蝕刻組合物中的總經溶解材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述蝕刻組合物含有5到50重量份經溶解乙酸/100重量份所述蝕刻組合物中的總經溶解材料。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述蝕刻組合物含有2到40重量份經溶解甲酸/100重量份所述蝕刻組合物中的總經溶解材料。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述蝕刻組合物含有0.1到10重量份經溶解硫酸/100重量份所述蝕刻組合物中的總經溶解材料。

7.根據權利要求1所述的方法，其中所述蝕刻組合物含有0.5到20重量份經溶解乳酸/100重量份所述蝕刻組合物中的總經溶解材料。

8.根據權利要求1所述的方法，其中按100重量份所述蝕刻組合物中的總經溶解材料計，所述蝕刻組合物含有：

1到10重量份氟化氫，

5到50重量份經溶解乙酸，

2到40重量份經溶解甲酸，

0.1到10重量份經溶解硫酸，和

10到35重量份經溶解過氧化氫，

0.5到20重量份經溶解乳酸。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述表面包括氮化硅或氧化硅。

10.一種用于從微電子裝置的表面相對于硅選擇性移除硅-鍺的蝕刻組合物，所述組合物包含存于水中的：

1到10重量份氟化氫，

5到50重量份經溶解乙酸，

2到40重量份經溶解甲酸，

0.1到10重量份經溶解硫酸，

10到35重量份經溶解過氧化氫，和

0.5到20重量份經溶解乳酸。