[發明專利]用于物理蝕刻制程的減少分流的裝置的后處理在審
| 申請號： | 201880023885.3 | 申請日： | 2018-03-08 |
| 公開（公告）號： | CN110546777A | 公開（公告）日： | 2019-12-06 |
| 發明（設計）人： | 王郁仁;沈冬娜;維格納許·桑達;沙希·帕特爾 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 72003 隆天知識產權代理有限公司 | 代理人： | 韓旭;黃艷<國際申請>=PCT/US20 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;TW |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 頂電極 圖案化 堆疊 底電極 側壁 蝕刻 氮化 水平表面 磁通道 非導電 介電層 再沉積 接面 保留 覆蓋 | ||
1.一種蝕刻磁通道接面(MTJ)結構的方法，包括：
提供一MTJ堆疊于一底電極上；
提供一頂電極于上述MTJ堆疊上；
圖案化上述頂電極；
之后氧化或氮化未被上述圖案化頂電極覆蓋的上述MTJ堆疊；
之后圖案化上述MTJ堆疊以形成MTJ裝置，其中任何在上述MTJ裝置側壁上形成的側壁再沉積為非導電。
2.如權利要求1所述的方法，其中上述MTJ堆疊通過物理蝕刻制程被圖案化。
3.如權利要求1所述的方法，其中上述氧化或氮化是通過自然氧化或自然氮化。
4.如權利要求1所述的方法，其中上述氧化或氮化是通過氧化物或氮化物等離子體或離子束的方法，包括純氧氣，或純氮氣，或氧氣或氮氣與一種或多種稀有氣體混合。
5.如權利要求1所述的方法，其中上述氧化或氮化是通過涂覆水或一含氧或氮的溶劑。
6.如權利要求1所述的方法，其中重復上述氧化或氮化，直到上述MTJ堆疊中，未被上述圖案化頂電極覆蓋的所有金屬轉變成氧化物或氮化物。
7.如權利要求1所述的方法，還包括氧化或氮化未被上述圖案化頂電極覆蓋的上述底電極。
8.一種蝕刻磁通道接面(MTJ)結構的方法，包括：
提供一MTJ堆疊于一底電極上；
提供一頂電極于上述MTJ堆疊上；
圖案化上述頂電極；
之后氧化或氮化未被上述圖案化頂電極覆蓋的上述MTJ堆疊和上述底電極；
之后圖案化上述MTJ堆疊以形成一MTJ裝置，其中任何在上述MTJ裝置側壁上形成的側壁再沉積為非導電；及
之后圖案化上述底電極，其中任何在上述MTJ裝置上的側壁再沉積為非導電。
9.如權利要求8所述的方法，其中上述MTJ堆疊通過物理蝕刻制程被圖案化。
10.如權利要求8所述的方法，其中上述氧化或氮化是通過自然氧化或自然氮化。
11.如權利要求8所述的方法，其中上述氧化或氮化是通過氧化物或氮化物等離子體或離子束方法，包括純氧氣，或純氮氣，或氧氣或氮氣與一種或多種稀有氣體混合。
12.如權利要求8所述的方法，其中上述氧化或氮化是通過涂覆水或一含氧或氮的溶劑。
13.如權利要求8所述的方法，其中重復上述氧化或氮化，直到上述MTJ堆疊中，未被上述圖案化頂電極覆蓋的所有金屬轉變成氧化物或氮化物。
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