[發明專利]聚酰亞胺系膜及顯示裝置有效
| 申請號: | 201880023511.1 | 申請日: | 2018-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN110475810B | 公開(公告)日: | 2022-12-20 |
| 發明(設計)人: | 大村沙織;巖崎克彥;望月勝紀 | 申請(專利權)人: | 住友化學株式會社 |
| 主分類號: | C08J5/18 | 分類號: | C08J5/18;H04N5/66 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 楊宏軍;唐崢 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聚酰亞胺 顯示裝置 | ||
1.聚酰亞胺系膜,其包含聚酰亞胺系高分子,
在小角X射線散射測定中,在波數區域q為0.01<q<0.2的范圍內具有散射強度的極大峰,并且,將q=0.03時的散射強度作為初始散射強度I0,極大峰的散射強度Ip與初始散射強度之比Ip/I0為0.8以上且3.8以下,其中,q的單位為nm-1,
所述聚酰亞胺系膜還包含二氧化硅微粒,
所述二氧化硅微粒的多分散指數為12~25%,
所述二氧化硅微粒的利用動態光散射法測定的體積平均粒徑Dv50為35nm以上60nm以下,
以聚酰亞胺系高分子和二氧化硅微粒的總含量為基準,所述二氧化硅微粒的含量為15~50質量%,
所述聚酰亞胺系高分子為包含式(PI)表示的重復結構單元的聚酰亞胺系高分子,
式(PI)中,G表示式(20)、式(21)、式(22)、式(23)、式(24)、式(25)或式(26)表示的基團,上述式中的*表示化學鍵,式(26)中的Z表示單鍵、-O-、-CH2-、-C(CH3)2-、-Ar-O-Ar-、-Ar-CH2-Ar-、-Ar-C(CH3)2-Ar-或-Ar-SO2-Ar-,Ar表示碳原子數為6~20的芳基,
A為式(30)、式(31)、式(32)、式(33)或式(34)表示的基團,式中的*表示化學鍵,Z1~Z3各自獨立地表示單鍵、-O-、-CH2-、-C(CH3)2-、-SO2-、-CO-或-CO-NR-,R表示甲基、乙基、丙基碳原子數為1~3的烷基或氫原子,
對于A和G中的至少一者而言,構成它們的氫原子中的至少1個氫原子可被選自由氟系取代基、羥基、磺基、碳原子數為1~10的烷基組成的組中的至少1種官能團取代,
所述聚酰亞胺系高分子的重均分子量為50,000~500,000。
2.如權利要求1所述的聚酰亞胺系膜,其中,所述二氧化硅微粒是使用由BET法測得的比表面積算出的一次粒徑為31nm以上且60nm以下的第1二氧化硅微粒、與使用由BET法測得的比表面積算出的一次粒徑為16nm以上且30nm以下的第2二氧化硅微粒的混合物。
3.如權利要求1或2所述的聚酰亞胺系膜,其中,所述二氧化硅微粒是利用動態光散射法測定的體積平均粒徑Dv50為50nm以上且100nm以下的第1二氧化硅微粒、與利用動態光散射法測定的體積平均粒徑Dv50為25nm以上且49nm以下的第2二氧化硅微粒的混合物。
4.如權利要求1或2所述的聚酰亞胺系膜,其中,相對于所述聚酰亞胺系高分子和所述二氧化硅微粒的總含量100質量份而言,還包含0.1質量份以上且3.0質量份以下的金屬醇鹽。
5.顯示裝置,其具備權利要求1~4中任一項所述的聚酰亞胺系膜。
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