[發(fā)明專利]植入式光學(xué)傳感器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880023492.2 | 申請(qǐng)日： | 2018-03-30 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110832369B | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-10-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周安·塞巴斯蒂安·奧多納茲·奧爾拉納;達(dá)納·德?tīng)栘惪?/a>;科恩拉德·萬(wàn)斯朱一仁伯格;保羅·卡迪爾;阿南特·蘇伯拉曼尼亞 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 英迪格迪貝特斯公司 |
| 主分類號(hào)： | G02B6/12 | 分類號(hào)： | G02B6/12;G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國(guó);吳啟超 |
| 地址： | 比利時(shí)茲*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 植入 光學(xué) 傳感器 | ||
1.一種植入式光學(xué)傳感器(1)，包括基板(2)以及與基板(2)集成的用于漸逝場(chǎng)感測(cè)的至少一個(gè)光學(xué)微結(jié)構(gòu)(3)，
所述至少一個(gè)光學(xué)微結(jié)構(gòu)(3)定位成在所述基板(2)的表面(5)的一部分上形成光學(xué)相互作用區(qū)域(4)，
所述光學(xué)組件(1)還包括至少覆蓋所述光學(xué)相互作用區(qū)域(4)的薄保護(hù)層(6)，所述薄保護(hù)層(6)處于具有防腐蝕特性的預(yù)定材料中且具有預(yù)定厚度，以免影響漸逝場(chǎng)感應(yīng)。
2.如權(quán)利要求1所述的植入式光學(xué)傳感器，其中所述保護(hù)層(6)與所述光學(xué)相互作用區(qū)域(4)相關(guān)聯(lián)的外表面共形。
3.如權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的植入式光學(xué)傳感器，其中所述保護(hù)層(6)包括選自以下群組中的一或多種材料：碳化硅(SiC)、類金剛石碳(DLC)、TiO2、Al2O3。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的植入式光學(xué)傳感器，其中所述光學(xué)組件包括至少一個(gè)光子集成電路設(shè)備。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)的植入式光學(xué)傳感器，其中所述光學(xué)微結(jié)構(gòu)(3)基于SiN、SOI、InP、GaAs、TiO2、玻璃或二氧化硅。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)的植入式光學(xué)傳感器，其中所述保護(hù)層(6)是無(wú)孔的。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的植入式光學(xué)傳感器，其中所述保護(hù)層(6)的厚度小于所述光學(xué)微結(jié)構(gòu)(3)的厚度的50％。
8.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的植入式光學(xué)傳感器，其中所述保護(hù)層(6)的厚度小于所述光學(xué)微結(jié)構(gòu)(3)的厚度的30％。
9.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的植入式光學(xué)傳感器，其中所述保護(hù)層(6)的厚度小于所述光學(xué)微結(jié)構(gòu)(3)的厚度的10％。
10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的植入式光學(xué)傳感器，其中所述至少一個(gè)光學(xué)微結(jié)構(gòu)(3)被配置用于利用預(yù)定波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光進(jìn)行漸逝場(chǎng)感測(cè)。
11.如權(quán)利要求10所述的植入式光學(xué)傳感器，其中所述基板(2)是低折射率包層，并且所述光學(xué)微結(jié)構(gòu)(3)是包括沉積在所述低折射率包層上的高介電折射率芯的單模波導(dǎo)，所述高介電折射率芯的厚度小于光的波長(zhǎng)。
12.如權(quán)利要求10至11中任一項(xiàng)所述的植入式光學(xué)傳感器，其中所述光的波長(zhǎng)在介于700nm與2500nm之間的近紅外波長(zhǎng)范圍內(nèi)，或在介于2.5μm與8μm之間的中紅外波長(zhǎng)范圍內(nèi)。
13.如權(quán)利要求10至11中任一項(xiàng)所述的植入式光學(xué)傳感器，其中所述光的波長(zhǎng)在1500nm至1850nm的波段中，或在2080nm至2325nm的波段中。
14.如權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的植入式光學(xué)傳感器，其中所述保護(hù)層(6)是光學(xué)透明的。
15.如權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的植入式光學(xué)傳感器，其中所述傳感器(1)包括集成在所述基板(2)中并連接到所述光學(xué)微結(jié)構(gòu)(3)的處理電路(7)、連接到所述處理電路(7)及所述光學(xué)微結(jié)構(gòu)(3)的輻射源(8)，以及連接到所述處理電路(7)的接口電路(9)；在操作中，所述處理電路(7)和輻射源(8)被設(shè)置用于光學(xué)感測(cè)與所述光學(xué)微結(jié)構(gòu)(3)及所述光學(xué)相互作用區(qū)域(4)相關(guān)聯(lián)的漸逝場(chǎng)相互作用的物質(zhì)。
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