[發(fā)明專利]包括平面輻射設(shè)備的基本天線有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880023354.4 | 申請(qǐng)日: | 2018-02-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN110506365B | 公開(公告)日: | 2022-01-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | P·加雷克;A·吉奧托;G·莫爾萬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 塔萊斯公司;波爾多大學(xué);波爾多綜合理工學(xué)院;國(guó)立科學(xué)研究中心 |
| 主分類號(hào): | H01Q9/04 | 分類號(hào): | H01Q9/04;H01Q21/00;H01Q21/06 |
| 代理公司: | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002 | 代理人: | 劉瑜 |
| 地址: | 法國(guó)庫(kù)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包括 平面 輻射 設(shè)備 基本 天線 | ||
1.一種基本天線,其包括平面輻射設(shè)備,所述平面輻射設(shè)備包括基本上平面的輻射元件以及發(fā)射和接收電路,所述發(fā)射和接收電路包括至少一個(gè)第一類型的放大鏈和至少一個(gè)第二類型的放大鏈,每個(gè)所述第一類型的放大鏈耦合到所述輻射元件的至少一個(gè)激勵(lì)點(diǎn)的第一集合的至少一個(gè)激勵(lì)點(diǎn),并且每個(gè)所述第二類型的放大鏈耦合到所述輻射元件的激勵(lì)點(diǎn)的第二集合的至少一個(gè)點(diǎn),所述第一集合的激勵(lì)點(diǎn)和所述第二集合的激勵(lì)點(diǎn)是不同的,并且所述第一類型的放大鏈與所述第二類型的放大鏈不同,使得它們表現(xiàn)出不同的放大特性,所述發(fā)射和接收電路包括:- 至少一個(gè)發(fā)射放大鏈,其能夠傳遞旨在激勵(lì)所述輻射元件的信號(hào),每個(gè)發(fā)射放大鏈耦合到所述輻射元件的至少一個(gè)激勵(lì)點(diǎn)的第一集合的至少一個(gè)點(diǎn);- 至少一個(gè)接收放大鏈,其能夠放大從所述輻射元件產(chǎn)生的信號(hào),每個(gè)接收放大鏈耦合到所述輻射元件的至少一個(gè)激勵(lì)點(diǎn)的第二集合的至少一個(gè)點(diǎn),所述激勵(lì)點(diǎn)以如下的方式被定位并且耦合到相應(yīng)的放大鏈:使得每個(gè)放大鏈基本上由其最佳阻抗加載,加載到每個(gè)放大鏈上的阻抗為由耦合到所述放大鏈的輻射設(shè)備和由將所述輻射設(shè)備耦合到所述放大鏈的每條饋線形成的鏈的阻抗。
2.如權(quán)利要求1所述的基本天線,其中,所述第一集合的激勵(lì)點(diǎn)和所述第二集合的激勵(lì)點(diǎn)表現(xiàn)出不同的阻抗。
3.如權(quán)利要求1所述的基本天線,其中:- 耦合到所述第一集合的一個(gè)點(diǎn)或兩個(gè)點(diǎn)的至少一個(gè)發(fā)射放大鏈表現(xiàn)出輸出阻抗,所述輸出阻抗基本上是在所述點(diǎn)處或在所述第一集合的兩個(gè)點(diǎn)之間呈現(xiàn)給所述發(fā)射放大鏈的所述輻射設(shè)備的阻抗的共軛,和/或- 耦合到所述第一集合的一個(gè)點(diǎn)或兩個(gè)點(diǎn)的至少一個(gè)接收放大鏈表現(xiàn)出輸出阻抗,所述輸出阻抗基本上是在所述點(diǎn)處或在所述第二集合的兩個(gè)點(diǎn)之間的接收中呈現(xiàn)給所述放大鏈的所述輻射設(shè)備的阻抗的共軛。
4.如權(quán)利要求1和3中任一項(xiàng)所述的基本天線,其中,所述第一集合的每個(gè)激勵(lì)點(diǎn)的阻抗小于所述第二集合的每個(gè)激勵(lì)點(diǎn)的阻抗。
5.如權(quán)利要求1和3中任一項(xiàng)所述的基本天線,其中,每個(gè)所述第一類型的放大鏈與所述第二類型的放大鏈相關(guān)聯(lián),這些放大鏈耦合到被設(shè)置為發(fā)射或接收在同一個(gè)方向上線性極化的相應(yīng)的基本波的激勵(lì)點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求1和3中任一項(xiàng)所述的基本天線,其中,所述輻射元件由穿過所述輻射元件的中心點(diǎn)(C)的第一直線(D1)和垂直于所述第一直線(D1)并且穿過所述中心點(diǎn)(C)的第二直線(D2)限定,所述激勵(lì)點(diǎn)僅分布在所述第一直線之上和/或在所述第二直線上。
7.如權(quán)利要求6所述的基本天線,其中,所述激勵(lì)點(diǎn)僅分布在所述第一直線以及所述第二直線上,所述輻射設(shè)備包括根據(jù)所述第一直線(D1)和所述第二直線(D2)縱向延伸的兩個(gè)槽,所述兩個(gè)槽確保所有所述激勵(lì)點(diǎn)的耦合。
8.如權(quán)利要求1和3中任一項(xiàng)所述的基本天線,其中,從所述第一集合(1a+、1a-,2a+、2a-)和所述第二集合(1b+、1b-,2b+、 2b-)取得的至少一個(gè)集合包括至少一對(duì)激勵(lì)點(diǎn),所述一對(duì)激勵(lì)點(diǎn)包括以如下方式耦合到所述發(fā)射和接收電路的兩個(gè)激勵(lì)點(diǎn),使得差分信號(hào)旨在在所述輻射設(shè)備和所述發(fā)射電路之間流動(dòng)。
9.如權(quán)利要求8所述的基本天線,其中,從所述第一集合和所述第二集合取得的至少一個(gè)集合包括第一四聯(lián)體激勵(lì)點(diǎn),所述輻射元件由穿過所述輻射元件的中心(C)的第一直線(D1)和垂直于所述第一直線(D1)并且穿過所述中心(C)的第二直線(D2)限定,每個(gè)第一四聯(lián)體激勵(lì)點(diǎn)的激勵(lì)點(diǎn)包括第一對(duì)激勵(lì)點(diǎn),其由相對(duì)于所述第一直線(D1)以基本對(duì)稱的方式設(shè)置的激勵(lì)點(diǎn)(1a+、1a-; 1b+、1b-)組成,以及第二對(duì)激勵(lì)點(diǎn),其由相對(duì)于所述第二直線(D2)以基本對(duì)稱的方式設(shè)置的激勵(lì)點(diǎn)組成。
10.如權(quán)利要求9所述的基本天線,其中,所述第一四聯(lián)體的點(diǎn)的激勵(lì)點(diǎn)位于距所述第一直線(D1)和距所述第二直線(D2)一定距離處。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于塔萊斯公司;波爾多大學(xué);波爾多綜合理工學(xué)院;國(guó)立科學(xué)研究中心,未經(jīng)塔萊斯公司;波爾多大學(xué);波爾多綜合理工學(xué)院;國(guó)立科學(xué)研究中心許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880023354.4/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:磁場(chǎng)產(chǎn)生電路
- 下一篇:多頻陣列天線
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動(dòng)設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點(diǎn)設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





