[發(fā)明專(zhuān)利]快速熔體生長(zhǎng)光電檢測(cè)器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880023166.1 | 申請(qǐng)日： | 2018-04-10 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN110462848B | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-02-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | E.W.基韋拉;J.奧克特;J.J.埃利斯-莫納亨 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L31/18 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 美國(guó)紐*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 快速 生長(zhǎng) 光電 檢測(cè)器 | ||
1.一種光電檢測(cè)器，包括：
波導(dǎo)，在襯底上延伸，該波導(dǎo)包括波導(dǎo)材料；
絕緣層，在該波導(dǎo)上形成，該絕緣層具有暴露該波導(dǎo)的開(kāi)口；
光電檢測(cè)器層，形成在該絕緣層上并進(jìn)入該開(kāi)口以便與該波導(dǎo)接觸，該光電檢測(cè)器層具有位于該開(kāi)口處的第一端和遠(yuǎn)離該開(kāi)口的第二端，該光電檢測(cè)器層是波導(dǎo)材料和鍺的梯度材料，其中該梯度材料的波導(dǎo)材料部分從該第一端的最大值變化到該第二端的最小值，并且其中該梯度材料的鍺部分從該第一端的最小值變化到該第二端的最大值；
光電檢測(cè)器區(qū)域，位于該第二端；以及
光電檢測(cè)器層延伸部，從該光電檢測(cè)器層的該第二端以一定角度延伸，其中，鍺的再結(jié)晶期間的任何缺陷被推入所述光電檢測(cè)器層延伸部。
2.如權(quán)利要求1所述的光電檢測(cè)器，其中該光電檢測(cè)器層延伸部不包含該光電檢測(cè)器區(qū)域的任何部分。
3.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光電檢測(cè)器，其中該光電檢測(cè)器層延伸部是L形的。
4.如權(quán)利要求1或2所述的光電檢測(cè)器，其中該光電檢測(cè)器層延伸部是彎曲的。
5.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光電檢測(cè)器，其中該光電檢測(cè)器層和該光電檢測(cè)器層延伸部是共面的。
6.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光電檢測(cè)器，其中，該波導(dǎo)材料包括硅。
7.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光電檢測(cè)器，其中，該光電檢測(cè)器層在該第一端處的寬度比該光電檢測(cè)器層的在該第二端處的寬度寬。
8.如前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的光電檢測(cè)器，其中，該光電檢測(cè)器層延伸部?jī)H在一個(gè)方向上與該光電檢測(cè)器層成一角度延伸。
9.一種光電檢測(cè)器，包括：
波導(dǎo)，在襯底上延伸，該波導(dǎo)包括硅；
絕緣層，在該波導(dǎo)上形成，該絕緣層具有暴露該波導(dǎo)的開(kāi)口；
線性光電檢測(cè)器層，在該絕緣層上形成并進(jìn)入該開(kāi)口以便與該波導(dǎo)接觸，該線性光電檢測(cè)器層具有位于該開(kāi)口處的第一端和位于該線性光電檢測(cè)器層的末端的第二端，該線性光電檢測(cè)器層是硅和鍺的梯度材料，其中該梯度材料的硅部分從該第一端的最大值變?yōu)樵摰诙说淖钚≈担⑶移渲性撎荻炔牧系逆N部分從該第一端的最小值變?yōu)榈诙说淖畲笾担?/p>
光電檢測(cè)器，位于該線性光電檢測(cè)器層的末端；以及
光電檢測(cè)器層延伸部，從該線性光電檢測(cè)器層的末端以一角度延伸，
其中，鍺的再結(jié)晶期間的任何缺陷被推入所述光電檢測(cè)器層延伸部。
10.如權(quán)利要求9所述的光電檢測(cè)器，其中該光電檢測(cè)器層延伸部?jī)H在一個(gè)方向上與該線性光電檢測(cè)器層成一角度延伸。
11.如權(quán)利要求9所述的光電檢測(cè)器，其中該光電檢測(cè)器層延伸部在兩個(gè)方向上與該線性光電檢測(cè)器層成一角度延伸。
12.如權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的光電檢測(cè)器，其中，該光電檢測(cè)器層延伸部包括與該線性光電檢測(cè)器層平行且間隔開(kāi)的部分。
13.如權(quán)利要求9至12中任一項(xiàng)所述的光電檢測(cè)器，其中，該光電檢測(cè)器層延伸部是彎曲的。
14.如權(quán)利要求9至13中任一項(xiàng)所述的光電檢測(cè)器，其中該線性光電檢測(cè)器層和該光電檢測(cè)器層延伸部是共面的。
15.如權(quán)利要求9至14中任一項(xiàng)所述的光電檢測(cè)器，其中，該線性光電檢測(cè)器層在該第一端處的寬度比該線性光電檢測(cè)器層的在該第二端處的寬度寬。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司，未經(jīng)國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201880023166.1/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
