[發明專利]固態成像器件和電子裝置在審
| 申請號: | 201880023019.4 | 申請日: | 2018-03-23 |
| 公開(公告)號: | CN110494981A | 公開(公告)日: | 2019-11-22 |
| 發明(設計)人: | 橋口日出登;莊子禮二郎;堀越浩;三橋生枝;飯島匡;亀嶋隆季;石田実;羽根田雅希 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18;H04N5/369 |
| 代理公司: | 11290 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 | 代理人: | 姚鵬;曹正建<國際申請>=PCT/JP2 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 多層配線 半導體基板 第二基板 第一基板 堆疊 貫通孔 固態成像器件 電路 基板 配線 電路電連接 彼此相對 導電材料 電子裝置 連接結構 像素單元 像素陣列 接合 埋入 | ||
1.一種固態成像器件,其包括:
第一基板,所述第一基板包括第一半導體基板和堆疊在所述第一半導體基板上的第一多層配線層,所述第一半導體基板上形成有像素單元,所述像素單元上布置有像素;
第二基板,所述第二基板包括第二半導體基板和堆疊在所述第二半導體基板上的第二多層配線層,所述第二半導體基板上形成有具有預定功能的電路;和
第三基板,所述第三基板包括第三半導體基板和堆疊在所述第三半導體基板上的第三多層配線層,所述第三半導體基板上形成有具有預定功能的電路,
所述第一基板、所述第二基板和所述第三基板依次堆疊,
所述第一基板和所述第二基板以所述第一多層配線層與所述第二半導體基板彼此相對的方式接合在一起,
所述固態成像器件包括用于將所述第一基板的電路與所述第二基板的電路彼此電連接的第一連接結構,
所述第一連接結構包括過孔,所述過孔具有如下結構:其中,導電材料埋入在使所述第一多層配線層中的預定配線露出的第一貫通孔和使所述第二多層配線層中的預定配線露出且與所述第一貫通孔不同的第二貫通孔中;或者,所述過孔具有如下結構:其中,由導電材料形成的膜形成在所述第一貫通孔的內壁和所述第二貫通孔的內壁上。
2.根據權利要求1所述的固態成像器件,還包括用于將所述第二基板的電路與所述第三基板的電路彼此電連接的第二連接結構,其中,所述第二連接結構包括:通過從所述第一基板的背面側至少穿過所述第一基板以使所述第二多層配線層中的預定配線露出而設置的開口,和通過從所述第一基板的背面側至少穿過所述第一基板和所述第二基板以使所述第三多層配線層中的預定配線露出而設置的開口。
3.根據權利要求2所述的固態成像器件,其中,通過所述開口露出的所述第二多層配線層中的所述預定配線和通過所述開口露出的所述第三多層配線層中的所述預定配線包括起到I/O單元作用的焊盤。
4.根據權利要求2所述的固態成像器件,其中
起到I/O單元作用的焊盤存在于所述第一基板的背面上,
由導電材料形成的膜形成在所述開口的內壁上,且
通過所述開口露出的所述第二多層配線層中的所述預定配線和通過所述開口露出的所述第三多層配線層中的所述預定配線通過所述導電材料電連接至所述焊盤。
5.根據權利要求4所述的固態成像器件,其中,所述第二多層配線層中的所述預定配線和所述第三多層配線層中的所述預定配線通過所述導電材料電連接至同一所述焊盤。
6.根據權利要求4所述的固態成像器件,其中,所述第二多層配線層中的所述預定配線和所述第三多層配線層中的所述預定配線通過所述導電材料電連接至彼此不同的所述焊盤。
7.根據權利要求1所述的固態成像器件,還包括用于將所述第二基板的電路與所述第三基板的電路彼此電連接的第二連接結構,其中
所述第二基板和所述第三基板以所述第二多層配線層和所述第三多層配線層彼此相對的方式接合在一起,且
所述第二連接結構包括通過穿過所述第二基板或所述第三基板而設置的過孔,所述過孔將所述第二多層配線層中的預定配線與所述第三多層配線層中的預定配線彼此電連接。
8.根據權利要求7所述的固態成像器件,其中,所述過孔具有如下結構:其中,導電材料埋入在使所述第二多層配線層中的所述預定配線露出的第一貫通孔和使所述第三多層配線層中的所述預定配線露出且與所述第一貫通孔不同的第二貫通孔中;或者,所述過孔具有如下結構:其中,由導電材料形成的膜形成在所述第一貫通孔和所述第二貫通孔的內壁上。
9.根據權利要求7所述的固態成像器件,其中,所述過孔具有如下結構:其中,導電材料埋入在設置為與所述第二多層配線層中的所述預定配線接觸且使所述第三多層配線層中的所述預定配線露出的一個貫通孔或設置為與所述第三多層配線層中的所述預定配線接觸且使所述第二多層配線層中的所述預定配線露出的一個貫通孔中;或者,所述過孔具有如下結構:其中,由導電材料形成的膜形成在所述第一貫通孔和所述第二貫通孔的內壁上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





