[發明專利]功率模塊及其制造方法

在審

• 申請號: 201880022963.8
• 申請日: 2018-03-28
• 公開（公告）號: CN110476244A
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發明（設計）人: 畑野舞子;大塚拓一
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L23/36
• 分類號: H01L23/36;H01L21/52;H01L21/60;H01L23/12;H01L29/12;H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 11243 北京銀龍知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳彥;張默<國際申請>=PCT/JP20

1.一種功率模塊，其特征在于，

具備平板狀的厚銅基板、配置在所述厚銅基板上的導電性的應力緩和金屬層、以及配置在所述應力緩和金屬層上的半導體器件，

所述半導體器件與所述應力緩和金屬層接合。

2.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，

具備配置在所述應力緩和金屬層上的鍍層，

所述半導體器件隔著所述鍍層與所述應力緩和金屬層接合。

3.根據權利要求1所述的功率模塊，其特征在于，

具備配置在所述應力緩和金屬層上的Ag燒成層，

所述半導體器件隔著所述Ag燒成層與所述應力緩和金屬層接合。

4.根據權利要求2所述的功率模塊，其特征在于，

具備配置在所述鍍層上的Ag燒成層，

所述半導體器件隔著所述Ag燒成層和所述鍍層與所述應力緩和金屬層接合。

5.根據權利要求2或4所述的功率模塊，其特征在于，

所述半導體器件的一部分嵌入所述應力緩和金屬層或所述鍍層并固著。

6.根據權利要求5所述的功率模塊，其特征在于，

所述半導體器件與所述應力緩和金屬層或所述鍍層的接合面是一體化的。

7.根據權利要求6所述的功率模塊，其特征在于，

所述半導體器件按所述半導體器件的厚度的1/3～1/2嵌入所述應力緩和金屬層或所述鍍層而接合。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的功率模塊，其特征在于，

所述應力緩和金屬層具備第1鋁緩和層。

9.根據權利要求1～8中任一項所述的功率模塊，其特征在于，

所述厚銅基板具備第1厚銅層和配置在所述第1厚銅層上的第2厚銅層，

所述應力緩和金屬層配置在所述第2厚銅層上。

10.根據權利要求9所述的功率模塊，其特征在于，

具備配置在所述第1厚銅層上的絕緣片層，

所述第2厚銅層配置在所述絕緣片層上。

11.根據權利要求9或10所述的功率模塊，其特征在于，

具備配置在所述絕緣片層上的第2鋁緩和層，

所述第2厚銅層軋制粘接在所述第2鋁緩和層上。

12.根據權利要求9或10所述的功率模塊，其特征在于，

具備配置在所述絕緣片層上的第2鋁緩和層，

所述第2厚銅層使用濺射技術、冷噴技術或熔射技術粘接在所述第2鋁緩和層上。

13.根據權利要求9～11中任一項所述的功率模塊，其特征在于，

具備冷卻器和配置在所述冷卻器上的第1熱復合物層，

所述厚銅基板隔著所述第1熱復合物層配置在所述冷卻器上。

14.根據權利要求9～11中任一項所述的功率模塊，其特征在于，

具備冷卻器、配置在所述冷卻器上的焊錫層、銀燒成層或擴散接合層，

所述厚銅基板隔著所述焊錫層、所述銀燒成層或所述擴散接合層中的任一種配置在所述冷卻器上。

15.根據權利要求8所述的功率模塊，其特征在于，

具備夾著所述厚銅基板而與所述第1鋁緩和層相對地配置的第2鋁緩和層。

16.根據權利要求15所述的功率模塊，其特征在于，

具備冷卻器和配置在所述冷卻器上的絕緣片，

所述厚銅基板配置在所述絕緣片上。