[發(fā)明專利]植入式引線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880022265.8 | 申請日: | 2018-04-03 |
| 公開(公告)號: | CN110505898B | 公開(公告)日: | 2023-09-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M·R·布恩;J·L·庫恩 | 申請(專利權(quán))人: | 美敦力公司 |
| 主分類號: | A61N1/39 | 分類號: | A61N1/39;A61N1/05;A61N1/375 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 錢慰民;張鑫 |
| 地址: | 美國明*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 植入 引線 | ||
1.一種氣密密封封裝,包括:
殼體,所述殼體包括內(nèi)表面和外表面;
基板,所述基板氣密地密封至所述殼體,并且包括第一主表面和第二主表面;
光源,所述光源設(shè)置在所述基板的所述第一主表面上,并且包括發(fā)射表面,其中所述光源被適配以用于發(fā)射光穿過所述基板的所述第一主表面和所述第二主表面;
檢測器,所述檢測器設(shè)置在所述基板的所述第一主表面上,并且包括檢測表面,其中所述檢測器被適配以用于檢測由所述光源發(fā)射的所述光的至少一部分;以及
掩膜層,所述掩膜層設(shè)置在所述基板的所述第一主表面和所述第二主表面中的至少一個上,其中所述掩膜層包括在與所述基板的所述第一主表面正交的方向上與所述光源的發(fā)射軸對齊的第一孔,其中所述掩膜層進(jìn)一步包括在與所述基板的所述第一主表面正交的方向上與所述檢測器的檢測軸對齊的第二孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝,其特征在于,所述掩膜層被設(shè)置在所述第一主表面上,其中所述光源被設(shè)置在所述第一孔內(nèi)并且所述檢測器被設(shè)置在所述第二孔內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝,其特征在于,進(jìn)一步包括絕緣層,所述絕緣層被設(shè)置成使得掩膜層在所述絕緣層和所述基板的所述第一主表面之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝,其特征在于,所述掩膜層被設(shè)置在所述第二主表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝,其特征在于,所述掩膜層包括介電材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝,其特征在于,所述掩膜層包括導(dǎo)電材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝,其特征在于,所述掩膜層包括光吸收材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝,其特征在于,所述掩膜層被適配以用于吸收可見光。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝,其特征在于,所述掩膜層被適配以用于吸收近紅外光。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的封裝,其特征在于,所述掩膜層包括柱狀TiN。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的封裝,其特征在于,進(jìn)一步包括天線,所述天線設(shè)置在所述基板的所述第二主表面上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝,其特征在于,所述天線被設(shè)置在所述基板的所述第二主表面的第一部分上,其中,所述光源被設(shè)置成使得所述發(fā)射軸在與所述基板的所述第一主表面正交的方向上與所述基板的所述第二主表面的第二部分對齊。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝,其特征在于,所述天線包括第一間質(zhì)部分,其中所述檢測器在與所述基板的所述第一主表面正交的方向上與所述第一間質(zhì)部分對齊。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的封裝,其特征在于,所述掩膜層包括天線籽晶層,所述天線籽晶層設(shè)置在所述天線和所述基板的所述第二主表面之間,其中所述天線籽晶層包括粗糙化表面。
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