[發(fā)明專利]Cu-Ni-Si系銅合金條

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880022121.2
• 申請(qǐng)日: 2018-03-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110462077B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-08-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 中妻宗彥;高橋知亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 捷客斯金屬株式會(huì)社
• 主分類號(hào): C22C9/06
• 分類號(hào): C22C9/06;H01B1/02;C22F1/00;C22F1/08
• 代理公司: 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 張桂霞;楊戩

本申請(qǐng)發(fā)明的目的在于：提供在提高強(qiáng)度的同時(shí)減少蝕刻后的表面凹凸、并提高蝕刻后的尺寸精度的Cu?Ni?Si系銅合金條。本申請(qǐng)發(fā)明的Cu?Ni?Si系銅合金條是含有1.5～4.5質(zhì)量%的Ni、0.4～1.1質(zhì)量%的Si的Cu?Ni?Si系銅合金條，電導(dǎo)率為30%IACS以上，拉伸強(qiáng)度為800MPa以上，關(guān)于歐拉角(φ1、Φ、φ2)，所有歐拉角的晶體取向的極密度均為12以下，以軋制平行方向作為長(zhǎng)度方向切出寬度20mm×長(zhǎng)度200mm的試驗(yàn)片，當(dāng)使用已調(diào)整至波美度47的液溫40℃的氯化鐵水溶液進(jìn)行半蝕刻時(shí)，距離蝕刻前的長(zhǎng)度方向的翹曲量的變化?b為6mm以下。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及可適合用于制造電子材料等電子零件的Cu-Ni-Si系銅合金條。

背景技術(shù)

近年來(lái)，隨著IC封裝的小型化，要求引線框架、電子設(shè)備的各種端子、連接器等的小型化，進(jìn)而要求多引腳化。特別是，開(kāi)發(fā)出稱為QFN(Quad Flat Non-leaded package，方形扁平無(wú)引腳封裝)的、在LSI封裝的焊盤(pán)配置電極墊且不使引線引腳露出的結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步要求多引腳化、窄間距化。為了將這些引線框架等進(jìn)行多引腳化，需要基于蝕刻的微細(xì)加工，因此要求在提高作為材料的銅合金強(qiáng)度的同時(shí)提高蝕刻性。而且，還要求在進(jìn)行蝕刻加工以加工成引線框架等零件形狀時(shí)翹曲或變形少、尺寸精度優(yōu)異。

因此，提出了限制夾雜物的個(gè)數(shù)、并抑制由粗大的夾雜物引起的蝕刻性降低的技術(shù)(專利文獻(xiàn)1)。

另外，提出了在零件加工工序中減少成為問(wèn)題的熱收縮的技術(shù)(專利文獻(xiàn)2)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2001-49369號(hào)公報(bào)；

專利文獻(xiàn)2：日本特開(kāi)2016-180131號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明所要解決的課題

然而，若限制夾雜物的個(gè)數(shù)則會(huì)改善蝕刻不良，但無(wú)法改善銅合金的母材本身所產(chǎn)生的表面凹凸。因此，存在著以下問(wèn)題：在蝕刻后的表面產(chǎn)生稱為“橘皮(アラビ)”的粗糙，會(huì)妨礙微細(xì)加工。另外，雖然通過(guò)使用特殊的蝕刻液等能夠減少蝕刻后的表面凹凸，但蝕刻作業(yè)會(huì)變得繁雜，有可能導(dǎo)致產(chǎn)率下降或成本增加。

即使改善了蝕刻后的表面凹凸，但若在通過(guò)蝕刻加工進(jìn)行薄壁化時(shí)等產(chǎn)生翹曲或變形，則零件的尺寸精度會(huì)降低。

即，本發(fā)明是為了解決上述課題而提出的，其目的在于：提供在提高強(qiáng)度的同時(shí)減少蝕刻后的表面凹凸、并提高蝕刻后的尺寸精度的Cu-Ni-Si系銅合金條。

用于解決課題的手段

本發(fā)明人進(jìn)行了各種研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)了：如果銅合金的所有晶體取向的極密度均為12以下，則各晶體取向的蝕刻速度之差變小，蝕刻后的表面凹凸變低，蝕刻性(例如軟蝕刻性)提高。另外，還發(fā)現(xiàn)了：通過(guò)以拉伸強(qiáng)度的降低量處于規(guī)定范圍內(nèi)的方式實(shí)施去應(yīng)力退火(歪取焼鈍，應(yīng)力消除退火)，可抑制蝕刻后的翹曲或變形。

即，本發(fā)明的Cu-Ni-Si系銅合金條是含有1.5～4.5質(zhì)量%的Ni、0.4～1.1質(zhì)量%的Si、且剩余部分由Cu和不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Cu-Ni-Si系銅合金條，電導(dǎo)率為30%IACS以上，拉伸強(qiáng)度為800MPa以上，在將以垂直于包括晶體的[001]取向和材料的ND方向在內(nèi)的面的方向?yàn)檩S的旋轉(zhuǎn)角標(biāo)記為Φ、將以ND方向?yàn)檩S的旋轉(zhuǎn)角標(biāo)記為φ1、將以[001]方向?yàn)檩S的旋轉(zhuǎn)角標(biāo)記為φ2的情況下，關(guān)于以ND軸為旋轉(zhuǎn)軸僅旋轉(zhuǎn)φ1、之后僅旋轉(zhuǎn)Φ以使ND軸與z軸一致、最后圍繞[001]軸僅旋轉(zhuǎn)φ2從而使材料的ND、TD、RD與晶體的[001]、[010]、[100]一致的角度組即歐拉角(φ1、Φ、φ2)，所有歐拉角的晶體取向的極密度為12以下，