[發(fā)明專利]二次電池及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880022003.1 | 申請日： | 2018-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN110521044A | 公開（公告）日： | 2019-11-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 萬久俊彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 日本電氣株式會社 |
| 主分類號： | H01M10/04 | 分類號： | H01M10/04;H01M2/16;H01M4/02;H01M4/13;H01M10/0585 |
| 代理公司： | 11219 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人： | 楊海榮;曲盛<國際申請>=PCT/JP2 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 正極 負(fù)極 絕緣層 活性材料層 二次電池 平均粒徑 集電器 孔隙率 粒子 非導(dǎo)電性粒子 多孔絕緣層 高絕緣性 內(nèi)部短路 維持電極 正極配置 有效地 制造 | ||
1.一種二次電池，包含：
正極；和
面對所述正極配置的負(fù)極，
其中所述正極和所述負(fù)極各自包含集電器和在所述集電器的至少一個表面上形成的活性材料層，并且所述正極和所述負(fù)極中的至少一者還包含在所述活性材料層的表面上形成的絕緣層，并且
所述絕緣層是含有多個非導(dǎo)電性粒子的多孔絕緣層，并且當(dāng)所述粒子的平均粒徑由μm表示時，由所述粒子的平均粒徑×孔隙率表示的孔隙率指數(shù)為0.4以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池，其中所述非導(dǎo)電性粒子的平均粒徑為0.4μm～5μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二次電池，其中還包含配置在所述正極與所述負(fù)極之間的隔膜，并且
所述隔膜在200℃下的熱收縮率小于5％，并且葛爾萊值為10秒/100ml以下。
4.一種二次電池的制造方法，所述方法包括：
準(zhǔn)備正極和負(fù)極，和
將所述正極和所述負(fù)極配置成彼此面對，
其中所述正極和所述負(fù)極各自包含集電器和在所述集電器的至少一個表面上形成的活性材料層，并且所述正極和所述負(fù)極中的至少一者還包含在所述活性材料層的表面上形成的絕緣層，并且
所述絕緣層是含有多個非導(dǎo)電性粒子的多孔絕緣層，并且當(dāng)所述粒子的平均粒徑由μm表示時，由所述粒子的平均粒徑×孔隙率表示的孔隙率指數(shù)為0.4以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的二次電池的制造方法，其中所述非導(dǎo)電性粒子的平均粒徑為0.4μm～5μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的二次電池的制造方法，其中將所述正極和所述負(fù)極配置成彼此面對包括
在所述正極與所述負(fù)極之間配置在200℃下的熱收縮率小于5％、并且葛爾萊值為10秒/100ml以下的隔膜。
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