[發(fā)明專利]吸附暫時(shí)固定片及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201880021989.0 | 申請(qǐng)日: | 2018-01-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN110461927B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-06-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 伊關(guān)亮;土井浩平;金田充宏;加藤和通;德山英幸 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日東電工株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C08J9/28 | 分類號(hào): | C08J9/28;B29C67/20;B32B5/18 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 吸附 暫時(shí) 固定 及其 制造 方法 | ||
1.一種吸附暫時(shí)固定片,其包括發(fā)泡層,所述發(fā)泡層包括開(kāi)放泡孔結(jié)構(gòu),所述發(fā)泡層為有機(jī)硅發(fā)泡層,
其中所述發(fā)泡層的表面的算術(shù)平均表面粗糙度Ra為0.1μm~10μm,
其中所述發(fā)泡層的表觀密度為0.15g/cm3~0.90g/cm3,
其中,當(dāng)將所述發(fā)泡層的表面的在-40℃下20小時(shí)后的硅片垂直粘接力由V1表示,將在23℃下20小時(shí)后的硅片垂直粘接力由V2表示,且將在125℃下20小時(shí)后的硅片垂直粘接力由V3表示,并且
將所述發(fā)泡層的表面的在-40℃下20小時(shí)后的硅片剪切粘接力由H1表示,將在23℃下20小時(shí)后的硅片剪切粘接力由H2表示,且將在125℃下20小時(shí)后的硅片剪切粘接力由H3表示時(shí),
滿足V1H1、V2H2和V3H3的關(guān)系;
所述V1、V2、V3以N/1cm□計(jì),所述H1、H2、H3以N/1cm□計(jì),
其中硅片垂直粘接力如下定義:將吸附暫時(shí)固定片的評(píng)價(jià)面的相反面利用有機(jī)硅壓敏粘合帶固定于平滑的不銹鋼板上;使2kg輥往返一次從而將通過(guò)利用研磨機(jī)由DISCO公司制造的DFG8560磨削硅晶圓并利用切割鋸由DISCO公司制造的DFD6450將硅晶圓單片化為1cm□獲得的厚度為300μm的硅片的磨削面貼合至吸附暫時(shí)固定片,并且將所得物于-40℃、23℃、125℃下各自老化20小時(shí),并于23℃下靜置2小時(shí);將硅片的鏡面,即磨削面的相反面使用由島津公司制造的具備控制器4890、載荷元件MMT-250N的Servopulser于其中雙面膠帶由日東電工公司制造的No.5000NS貼附至20mmφ的轉(zhuǎn)接器的前端的狀態(tài)下以壓縮速度0.01N/sec于垂直方向上壓縮直至施加0.05N的載荷,接著以10mm/sec剝離硅片;并且將剝離時(shí)的最大載荷定義為硅片垂直粘接力;并且
硅片剪切粘接力為如下測(cè)量的剪切粘接力:將吸附暫時(shí)固定片的評(píng)價(jià)面的相反面利用有機(jī)硅壓敏粘合帶固定于平滑的不銹鋼板上;使2kg輥往返一次從而將通過(guò)利用研磨機(jī)由DISCO公司制造的DFG8560磨削硅晶圓并利用切割鋸由DISCO公司制造的DFD6450將硅晶圓單片化為1cm□獲得的厚度為300μm的硅片的磨削面貼合至吸附暫時(shí)固定片,并且將所得物于-40℃、23℃、125℃下各自老化20小時(shí),并于23℃下靜置2小時(shí);將硅片的側(cè)面使用測(cè)力計(jì)由日本電產(chǎn)新寶公司制造的FGPX-10以1mm/sec的速度推壓,接著測(cè)量剪切粘接力。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吸附暫時(shí)固定片,其中所述V1為5N/1cm□以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的吸附暫時(shí)固定片,其中所述H1為0.5N/1cm□以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的吸附暫時(shí)固定片,其中所述V2為6.5N/1cm□以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的吸附暫時(shí)固定片,其中所述H2為0.6N/1cm□以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的吸附暫時(shí)固定片,其中所述V3為10N/1cm□以下。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的吸附暫時(shí)固定片,其中所述H3為0.7N/1cm□以上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的吸附暫時(shí)固定片,其中所述發(fā)泡層的表面的算術(shù)平均表面粗糙度Ra為1μm~10μm。
9.一種吸附暫時(shí)固定片的制造方法,所述吸附暫時(shí)固定片包括發(fā)泡層,所述發(fā)泡層包括開(kāi)放泡孔結(jié)構(gòu),所述方法包括:
將形成所述發(fā)泡層的樹(shù)脂組合物施涂于隔片A上;
將隔片B安裝于所施涂的樹(shù)脂組合物的與所述隔片A相反側(cè)的表面上;
使所述樹(shù)脂組合物熱固化;和
然后剝離選自所述隔片A和所述隔片B中的至少1種,
其中所剝離的隔片中的至少1種包括具有算術(shù)平均表面粗糙度Ra為0.1μm~5μm的表面的隔片,
其中所述發(fā)泡層為有機(jī)硅發(fā)泡層,
所述發(fā)泡層的表面的算術(shù)平均表面粗糙度Ra為0.1μm~10μm,
其中所述發(fā)泡層的表觀密度為0.15g/cm3~0.90g/cm3。
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C08J9-00 高分子物質(zhì)加工成多孔或蜂窩狀制品或材料:它們的后處理
C08J9-02 .使用高分子在制備或改性過(guò)程中由單體或改性劑反應(yīng)而產(chǎn)生的發(fā)泡氣體
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