[發明專利]吸附暫時固定片及其制造方法

有效

• 申請號: 201880021989.0
• 申請日: 2018-01-22
• 公開（公告）號: CN110461927B
• 公開（公告）日: 2022-06-21
• 發明（設計）人: 伊關亮;土井浩平;金田充宏;加藤和通;德山英幸
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: C08J9/28
• 分類號: C08J9/28;B29C67/20;B32B5/18
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種吸附暫時固定片，其包括發泡層，所述發泡層包括開放泡孔結構，所述發泡層為有機硅發泡層，

其中所述發泡層的表面的算術平均表面粗糙度Ra為0.1μm～10μm，

其中所述發泡層的表觀密度為0.15g/cm³～0.90g/cm³，

其中，當將所述發泡層的表面的在-40℃下20小時后的硅片垂直粘接力由V1表示，將在23℃下20小時后的硅片垂直粘接力由V2表示，且將在125℃下20小時后的硅片垂直粘接力由V3表示，并且

將所述發泡層的表面的在-40℃下20小時后的硅片剪切粘接力由H1表示，將在23℃下20小時后的硅片剪切粘接力由H2表示，且將在125℃下20小時后的硅片剪切粘接力由H3表示時，

滿足V1H1、V2H2和V3H3的關系；

所述V1、V2、V3以N/1cm□計，所述H1、H2、H3以N/1cm□計，

其中硅片垂直粘接力如下定義：將吸附暫時固定片的評價面的相反面利用有機硅壓敏粘合帶固定于平滑的不銹鋼板上；使2kg輥往返一次從而將通過利用研磨機由DISCO公司制造的DFG8560磨削硅晶圓并利用切割鋸由DISCO公司制造的DFD6450將硅晶圓單片化為1cm□獲得的厚度為300μm的硅片的磨削面貼合至吸附暫時固定片，并且將所得物于-40℃、23℃、125℃下各自老化20小時，并于23℃下靜置2小時；將硅片的鏡面，即磨削面的相反面使用由島津公司制造的具備控制器4890、載荷元件MMT-250N的Servopulser于其中雙面膠帶由日東電工公司制造的No.5000NS貼附至20mmφ的轉接器的前端的狀態下以壓縮速度0.01N/sec于垂直方向上壓縮直至施加0.05N的載荷，接著以10mm/sec剝離硅片；并且將剝離時的最大載荷定義為硅片垂直粘接力；并且

硅片剪切粘接力為如下測量的剪切粘接力：將吸附暫時固定片的評價面的相反面利用有機硅壓敏粘合帶固定于平滑的不銹鋼板上；使2kg輥往返一次從而將通過利用研磨機由DISCO公司制造的DFG8560磨削硅晶圓并利用切割鋸由DISCO公司制造的DFD6450將硅晶圓單片化為1cm□獲得的厚度為300μm的硅片的磨削面貼合至吸附暫時固定片，并且將所得物于-40℃、23℃、125℃下各自老化20小時，并于23℃下靜置2小時；將硅片的側面使用測力計由日本電產新寶公司制造的FGPX-10以1mm/sec的速度推壓，接著測量剪切粘接力。

2.根據權利要求1所述的吸附暫時固定片，其中所述V1為5N/1cm□以下。

3.根據權利要求1或2所述的吸附暫時固定片，其中所述H1為0.5N/1cm□以上。

4.根據權利要求1或2所述的吸附暫時固定片，其中所述V2為6.5N/1cm□以下。

5.根據權利要求1或2所述的吸附暫時固定片，其中所述H2為0.6N/1cm□以上。

6.根據權利要求1或2所述的吸附暫時固定片，其中所述V3為10N/1cm□以下。

7.根據權利要求1或2所述的吸附暫時固定片，其中所述H3為0.7N/1cm□以上。

8.根據權利要求1或2所述的吸附暫時固定片，其中所述發泡層的表面的算術平均表面粗糙度Ra為1μm～10μm。

9.一種吸附暫時固定片的制造方法，所述吸附暫時固定片包括發泡層，所述發泡層包括開放泡孔結構，所述方法包括：

將形成所述發泡層的樹脂組合物施涂于隔片A上；

將隔片B安裝于所施涂的樹脂組合物的與所述隔片A相反側的表面上；

使所述樹脂組合物熱固化；和

然后剝離選自所述隔片A和所述隔片B中的至少1種，

其中所剝離的隔片中的至少1種包括具有算術平均表面粗糙度Ra為0.1μm～5μm的表面的隔片，

其中所述發泡層為有機硅發泡層，

所述發泡層的表面的算術平均表面粗糙度Ra為0.1μm～10μm，

其中所述發泡層的表觀密度為0.15g/cm³～0.90g/cm³。