[發(fā)明專利]具有可編程緩沖器及高速緩沖存儲器大小的存儲器協(xié)議在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201880021753.7 | 申請日: | 2018-02-14 |
| 公開(公告)號: | CN110546625A | 公開(公告)日: | 2019-12-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | R·M·沃克 | 申請(專利權(quán))人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | G06F13/16 | 分類號: | G06F13/16;G06F12/0893 |
| 代理公司: | 11287 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 | 代理人: | 王龍<國際申請>=PCT/US2018/ |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 緩沖器 存儲器 高速緩沖存儲器 數(shù)據(jù)存儲 界定 可編程緩沖器 編程電阻器 存儲器協(xié)議 寄存器 | ||
1.一種設(shè)備,其包括:
存儲器裝置;及
控制器,其耦合到所述存儲器裝置,經(jīng)配置以:
編程寄存器以界定存儲器中的緩沖器的大小;
將數(shù)據(jù)存儲于所述存儲器的第一部分中的所述緩沖器中,所述緩沖器由所述寄存器界定;及
將數(shù)據(jù)存儲于所述存儲器的第二部分中的高速緩沖存儲器中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中所述存儲器由所述存儲器的所述第一部分及所述存儲器的所述第二部分組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1到2中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備,其中所述控制器經(jīng)配置以編程指示所述存儲器的密度的另一寄存器。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備,其中所述緩沖器及所述高速緩沖存儲器位于所述控制器上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到2中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備,其中所述緩沖器及所述高速緩沖存儲器位于所述存儲器裝置的存儲器陣列上。
6.一種設(shè)備,其包括:
控制器,其位于存儲器模塊上;
第一存儲器陣列,其位于所述存儲器模塊上,所述第一存儲器陣列包含多個非易失性存儲器單元;及
第二存儲器陣列,其位于所述存儲器模塊上,所述第二存儲器模塊包含多個易失性存儲器單元;
其中所述控制器包括寄存器,所述寄存器經(jīng)配置以確定所述第二存儲器陣列的所述多個易失性存儲器單元的量以存儲所述第一存儲器陣列的緩沖器數(shù)據(jù)及高速緩沖存儲器數(shù)據(jù)中的至少一者。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的設(shè)備,其中所述緩沖器數(shù)據(jù)包含將在所述第一存儲器陣列上執(zhí)行的命令數(shù)據(jù)且所述高速緩沖存儲器數(shù)據(jù)包含存儲于所述第一存儲器陣列中的數(shù)據(jù)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6到7中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備,其中所述第一存儲器陣列及所述第二存儲器陣列布置于第一芯片中且所述控制器布置于第二芯片中。
9.根據(jù)權(quán)利要求6到7中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備,其進一步包括:
第三存儲器陣列,其位于所述存儲器模塊上,所述第三存儲器陣列包含多個非易失性存儲器單元;及
第四存儲器陣列,其位于所述存儲器模塊上,所述第四存儲器陣列包含多個易失性存儲器單元;
其中所述寄存器進一步經(jīng)配置以確定所述第四存儲器陣列的所述多個易失性存儲器單元的量以存儲所述第三存儲器陣列的緩沖器數(shù)據(jù)及高速緩沖存儲器數(shù)據(jù)中的至少一者;且
其中所述第三存儲器陣列及所述第四存儲器陣列布置于第三芯片中。
10.根據(jù)權(quán)利要求6到7中任一權(quán)利要求所述的設(shè)備,其中所述控制器包括第五存儲器陣列,所述第五存儲器陣列包含多個易失性存儲器單元,所述多個易失性存儲器單元的存儲器單元類型與所述第二存儲器陣列及所述第四存儲器陣列的所述多個易失性存儲器單元不同。
11.一種方法,其包括:
將一定數(shù)目個條目存儲于存儲器中的緩沖器中,其中所述緩沖器的大小由寄存器確定;及
將數(shù)據(jù)存儲于存儲器中的高速緩沖存儲器中,其中所述高速緩沖存儲器的大小基于未用作所述緩沖器的其余存儲器的量。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法,其進一步包含編程第一緩沖器以界定所述緩沖器的所述大小且編程第二緩沖器以界定所述存儲器的密度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11到12中任一權(quán)利要求所述的方法,其進一步包含將所述數(shù)據(jù)存儲于非易失性雙列直插式存儲器模塊NVDIMM裝置的非易失性存儲器陣列中的所述高速緩沖存儲器中。
14.根據(jù)權(quán)利要求11到12中任一權(quán)利要求所述的方法,其進一步包含將所述一定數(shù)目個條目存儲于位于控制器上的存儲器中的所述緩沖器中。
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