[發明專利]用于監測功率半導體裸芯的器件和方法有效
| 申請號: | 201880020848.7 | 申請日: | 2018-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN110462386B | 公開(公告)日: | 2022-09-06 |
| 發明(設計)人: | N·德格雷納;S·莫洛夫;J·萬楚克 | 申請(專利權)人: | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號: | G01N21/84 | 分類號: | G01N21/84;G01R31/26;G01R31/265;G01R31/311;G01N21/95;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 王小東;黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 監測 功率 半導體 器件 方法 | ||
1.一種用于監測涂覆有金屬化層的功率半導體裸芯的器件,該器件包括涂覆有金屬化層的至少一個功率半導體裸芯和具有兩個相對端的至少一個光導,第一端能夠至少連接到光源和光接收器,第二端被永久固定成從所述金屬化層的遠離所述功率半導體裸芯的一側相隔一定距離地面對所述金屬化層的頂表面,從而形成朝向所述頂表面的光路和源自所述頂表面的光路。
2.根據權利要求1所述的器件,所述器件還包括光源和光接收器,所述光源和所述光接收器都連接到所述光導的所述第一端,至少所述光接收器能夠連接到處理器。
3.根據權利要求2所述的器件,所述器件還包括至少連接到所述光接收器的處理器,所述處理器被布置成將由所述光接收器收集到的光的特性與至少一個參考進行比較,所述參考包括以下中的至少一個:
-預定值,
-由所述光源發射的光的強度,所述處理器進一步連接到所述光源,
-由所述光接收器在過去收集到的光的強度,
-由所述處理器連接到的第二光接收器收集到的光的強度,以及
-由所述光源發射的光的波長,所述處理器進一步連接到所述光源,
所述處理器被進一步布置成根據比較結果生成監測信號。
4.根據權利要求1所述的器件,所述器件還包括至少一個分光器,所述分光器設置在所述光導的所述第一端和至少光源或光接收器之間的光路上。
5.根據權利要求2所述的器件,所述器件還包括至少一個分光器,所述分光器設置在所述光導的所述第一端和至少光源或光接收器之間的光路上。
6.根據權利要求3所述的器件,所述器件還包括至少一個分光器,所述分光器設置在所述光導的所述第一端和至少光源或光接收器之間的光路上。
7.根據權利要求1所述的器件,其中,所述光導包括至少兩條光路,第一光路被布置成將光束從所述第一端引導到直至所述金屬化層的所述頂表面,第二光路被布置成將光束從所述第二端引導到直至所述光導的所述第一端。
8.根據權利要求2所述的器件,其中,所述光導包括至少兩條光路,第一光路被布置成將光束從所述第一端引導到直至所述金屬化層的所述頂表面,第二光路被布置成將光束從所述第二端引導到直至所述光導的所述第一端。
9.根據權利要求3所述的器件,其中,所述光導包括至少兩條光路,第一光路被布置成將光束從所述第一端引導到直至所述金屬化層的所述頂表面,第二光路被布置成將光束從所述第二端引導到直至所述光導的所述第一端。
10.根據權利要求4所述的器件,其中,所述光導包括至少兩條光路,第一光路被布置成將光束從所述第一端引導到直至所述金屬化層的所述頂表面,第二光路被布置成將光束從所述第二端引導到直至所述光導的所述第一端。
11.根據權利要求5所述的器件,其中,所述光導包括至少兩條光路,第一光路被布置成將光束從所述第一端引導到直至所述金屬化層的所述頂表面,第二光路被布置成將光束從所述第二端引導到直至所述光導的所述第一端。
12.根據權利要求6所述的器件,其中,所述光導包括至少兩條光路,第一光路被布置成將光束從所述第一端引導到直至所述金屬化層的所述頂表面,第二光路被布置成將光束從所述第二端引導到直至所述光導的所述第一端。
13.根據權利要求7所述的器件,其中,聯合地選擇所述光導的所述第二端的末端表面的構造以及所述第二端相對于所述金屬化層的所述頂表面的相對位置,使得從所述第一光路輸出的光中的大部分在所述頂表面的區域上被反射,然后進入所述第二光路。
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