[發明專利]鈦層或含鈦層的蝕刻液組合物及蝕刻方法

在審

• 申請號: 201880020746.5
• 申請日: 2018-03-30
• 公開（公告）號: CN110462799A
• 公開（公告）日: 2019-11-15
• 發明（設計）人: 佐佐木遼;高橋秀樹;橫山大雅
• 申請（專利權）人: 關東化學株式會社
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 31266 上海一平知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐迅;馬思敏<國際申請>=PCT/JP2

1.一種蝕刻液組合物，上述蝕刻液組合物用于蝕刻氧化物半導體上的鈦層或含鈦層，其特征在于，包含含有銨離子的化合物、過氧化氫及堿性化合物，pH為7～11。

2.根據權利要求1所述的蝕刻液組合物，其特征在于，還包含含有磷原子的含氧酸和/或其離子。

3.根據權利要求1或2所述的蝕刻液組合物，其特征在于，還包含氨基羧酸和/或羧酸。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的蝕刻液組合物，其特征在于，還包含銅防腐蝕劑。

5.根據權利要求1至4中任一項所述的蝕刻液組合物，其特征在于，銨離子的濃度為0.01～1.00mol/L。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的蝕刻液組合物，其特征在于，含有銨離子的化合物為選自由硫酸銨、磷酸銨、乙酸銨、硝酸銨、氯化銨、琥珀酸銨以及氨組成的組中的一種或兩種以上的化合物。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的蝕刻液組合物，其特征在于，含有銨離子的化合物為選自由硫酸銨、磷酸銨、乙酸銨、硝酸銨、氯化銨及琥珀酸銨組成的組中的一種或兩種以上的化合物。

8.根據權利要求1至7中任一項所述的蝕刻液組合物，其特征在于，堿性化合物選自由無機堿化合物、季胺氫氧化物及胺組成的組。

9.根據權利要求2至8中任一項所述的蝕刻液組合物，其特征在于，含有磷原子的含氧酸或其離子的濃度為0.0001～1.0mol/L。

10.根據權利要求2至9中任一項所述的蝕刻液組合物，其特征在于，含有磷原子的含氧酸或其離子為選自磷酸、膦酸、多齒膦酸、次膦酸、亞磷酸及其衍生物一種或兩種以上的化合物或其游離離子。

11.根據權利要求1至10中任一項所述的蝕刻液組合物，其特征在于，包含0.1～40質量百分比的含有銨離子的化合物、5～30質量百分比的過氧化氫及0.1～50質量百分比的堿性化合物。

12.根據權利要求1至11中任一項所述的蝕刻液組合物，其特征在于，氧化物半導體選自由銦、鎵、鋅為主要成分的金屬氧化物、以銦、鋅為主要成分的金屬氧化物以及以鎵、鋅為主要成分的金屬氧化物組成的組。

13.一種鈦層或含鈦層的蝕刻方法，其特征在于，包括使用根據權利要求1～12中任一項所述的蝕刻液組合物來蝕刻氧化物半導體上的鈦層或含鈦層的工序。

14.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括使用根據權利要求1～12中任一項所述的蝕刻液組合物來蝕刻氧化物半導體上的鈦層或含鈦層的工序。