[發明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201880020569.0
• 申請日: 2018-08-21
• 公開（公告）號: CN110476237B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 奧本凌二
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;B23K26/18;B23K26/21;H01L23/48
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張欣;金玉蘭

1.一種半導體裝置，其特征在于，具有：

半導體元件；

第1布線部件和第2布線部件，其與所述半導體元件電連接，且彼此接合；以及

保護部件，其配置在接合后的所述第1布線部件和所述第2布線部件中的與照射有激光的照射區域對置的對置區域，且熔點比構成所述對置區域的所述第1布線部件和所述第2布線部件中的至少一方的熔點高。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第2布線部件在接合面與所述第1布線部件接合，

在所述第1布線部件的與所述接合面對置的第1主面上設置有所述照射區域，

在所述第2布線部件的與所述接合面對置的第2主面上的所述對置區域配置有所述保護部件。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，在所述第1布線部件和所述第2布線部件之間層疊有1個以上的布線部件。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第2布線部件在接合面與所述第1布線部件接合，

在所述第1布線部件和所述第2布線部件各自的與所述接合面正交的一個端部上設置有所述照射區域，

在所述第1布線部件和所述第2布線部件各自的與所述照射區域對置的另一個端部上的所述對置區域配置有所述保護部件。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述保護部件由鈷、鈦、鉑、鉻、鉬、鉭、鎢、鈮中的一種構成，或者由含有鈷、鈦、鉑、鉻、鉬、鉭、鎢、鈮中的至少一種的合金構成、或者由陶瓷構成。

6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于，所述陶瓷是氧化鋁、氧化鋯、氧化硅、碳化硅、碳化硼、碳化鎢、碳化鉭、氮化鋁、氮化硅、氮化鈦、氮化鉭中的任一種。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，在接合后的所述第1布線部件和所述第2布線部件，隔著接合部件配置所述保護部件。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，所述第1布線部件和所述第2布線部件是銅、鋁中的一種，或者是含有銅、鋁中的至少一種的合金或不銹鋼。

9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，構成所述對置區域的所述第1布線部件和所述第2布線部件中的至少一方與所述保護部件的熔點差為500℃以上。

10.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，包括：

準備半導體元件、第1布線部件、第2布線部件、熔點比所述第2布線部件的熔點高的保護部件的工序；

在將所述第1布線部件和所述第2布線部件重疊并照射激光時，在重疊的所述第1布線部件和所述第2布線部件中的與照射所述激光的照射區域對置的對置區域預先配置所述保護部件的工序；

將所述半導體元件與所述第1布線部件和所述第2布線部件中的至少一方電連接的工序；

將所述第1布線部件和所述第2布線部件重疊的工序；以及

向所述照射區域照射所述激光的工序。