[發(fā)明專利]針對極紫外光源的光脈沖生成

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880020488.0
• 申請日: 2018-03-19
• 公開（公告）號: CN110476110A
• 公開（公告）日: 2019-11-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: R·W·帕里;C·J·萊本伯格
• 申請（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: G02F1/11
• 分類號: G02F1/11;G02F1/33;G02F1/135
• 代理公司: 11256 北京市金杜律師事務所
• 代理人: 張寧<國際申請>=PCT/US2018/

1.一種形成針對極紫外(EUV)光源的光脈沖的方法，所述方法包括：

利用具有第一波長的第一光束照射調(diào)制系統(tǒng)的半導體材料；

在持續(xù)時間內(nèi)，向所述半導體材料施加電壓，所施加的電壓足以改變所述半導體材料的折射率，使得傳遞通過所述半導體材料的、具有第二波長的光束的偏振狀態(tài)被修改以傳遞通過所述調(diào)制系統(tǒng)的至少一個基于偏振的光學元件；以及

通過在所述持續(xù)時間期間，使得具有所述第二波長的第二光束傳遞通過所述半導體材料來形成光脈沖，其中：

所形成的光脈沖包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分在時間上連續(xù)，所述第一部分發(fā)生在所述第二部分之前，并且

利用所述第一光束照射所述調(diào)制系統(tǒng)的所述半導體材料改變了所形成的光脈沖的所述第一部分的一個或多個特性。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光脈沖的所述第一部分的所述一個或多個特性包括平均強度、最大強度和持續(xù)時間中的一個或多個。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括允許所形成的脈沖朝向靶區(qū)域傳播，所形成的脈沖的所述第一部分的最大強度小于所形成的脈沖的所述第二部分的最大強度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第二部分的所述最大強度足以將所述靶區(qū)域處的靶中的靶材料轉(zhuǎn)換成發(fā)射EUV光的等離子體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

所述半導體材料與光譜透射特性相關(guān)聯(lián)，所述光譜透射特性包括透射區(qū)域和吸收邊緣波長，所述吸收邊緣波長是所述透射區(qū)域上的最低波長，

所述第一波長在所述吸收邊緣波長和所述第二波長之間，并且

所述第二波長是所述透射區(qū)域中的波長。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導體材料與帶隙能量相關(guān)聯(lián)，所述帶隙能量是所述半導體材料的價帶與所述半導體材料的導帶之間的能量差，并且所述第一波長的光子能量小于所述帶隙能量。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述半導體材料包括缺陷，所述缺陷創(chuàng)建具有在所述價帶和所述導帶之間的能級的深能級陷阱，并且所述第一波長的所述光子能量等于或大于深能級陷阱的至少一個能級與所述導帶之間的能量差或深能級陷阱的至少一個能級與所述價帶之間的能量差。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二波長包括10.6μm，并且所述半導體材料包括碲化鎘鋅(CdZnTe)、碲化鎘(CdTe)、碲化鋅(ZnTe)和砷化鎵(GaAs)中的一個。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一波長包括0.75微米(μm)至3.5μm之間的波長，并且所述第二波長包括9μm至11μm之間的波長。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一光束和所述第二光束遵循相同的空間路徑通過所述半導體材料。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一光束和所述第二光束同時在所述半導體材料中。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括調(diào)整所述第一光束的性質(zhì)，以調(diào)整所述光脈沖的所述第一部分的特性中的一個或多個。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中調(diào)整所述第一光束的所述性質(zhì)包括增加所述第一光束的強度，以減小所述光脈沖的所述第一部分的最大強度或平均強度。