[發明專利]濕度傳感器有效
| 申請號： | 201880019163.0 | 申請日： | 2018-02-26 |
| 公開（公告）號： | CN110494744B | 公開（公告）日： | 2022-02-25 |
| 發明（設計）人： | 中根健智 | 申請（專利權）人： | 三美電機株式會社 |
| 主分類號： | G01N27/22 | 分類號： | G01N27/22 |
| 代理公司： | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人： | 張敬強;李平 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 濕度 傳感器 | ||
【權利要求書】：
1.一種濕度傳感器，其特征在于，具有：
下部電極，其形成于基板之上；
第一感濕膜，其覆蓋上述下部電極；
上部電極，其形成于上述第一感濕膜之上，并具有預定的開口圖案；以及
第二感濕膜，其覆蓋上述上部電極，并且在上述上部電極的開口部與上述第一感濕膜連接，
上述上部電極的面積比上述下部電極的面積大，且比上述第一感濕膜的面積小，
上述基板在動作時電位固定。
2.根據權利要求1所述的濕度傳感器，其特征在于，
上述上部電極與上述基板電連接。
3.根據權利要求2所述的濕度傳感器，其特征在于，
在上述第一感濕膜形成有開口，
上述上部電極經由上述開口與上述基板電連接。
4.根據權利要求2所述的濕度傳感器，其特征在于，
上述上部電極在該濕度傳感器的外部與上述基板電連接。
5.根據權利要求1所述的濕度傳感器，其特征在于，
上述基板由p型的半導體形成，且接地。
6.根據權利要求1所述的濕度傳感器，其特征在于，
上述基板由n型的半導體形成，且固定為正電位。
7.根據權利要求1所述的濕度傳感器，其特征在于，
具有覆蓋上述上部電極的整周的保護膜。
8.根據權利要求1所述的濕度傳感器，其特征在于，
在上述第二感濕膜之上具有以從上述上部電極的最外周緣到最外周的上述開口部之間為開始位置，朝向上述濕度傳感器的外周配置的樹脂。
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