[發(fā)明專利]光學(xué)膜、光學(xué)膜的制造方法、偏振片及液晶顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880019036.0
• 申請日: 2018-03-29
• 公開（公告）號: CN110418988B
• 公開（公告）日: 2021-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 辻野斗馬;周宏晃
• 申請（專利權(quán)）人: 日本瑞翁株式會社
• 主分類號: G02B5/30
• 分類號: G02B5/30;B32B7/023;B32B27/00;B32B37/26;G02F1/1335
• 代理公司: 北京柏杉松知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413
• 代理人: 楊衛(wèi)萍;劉繼富

1.一種光學(xué)膜，其包含嵌段共聚物，

所述嵌段共聚物包含：

具有含環(huán)式烴基化合物單元的嵌段Da、以及

具有鏈狀烴化合物單元或具有鏈狀烴化合物單元和含環(huán)式烴基化合物單元的嵌段Ea，

在表面與中央部的所述嵌段Da的體積與所述嵌段Ea的體積的組成比率的差為0～10％，

面內(nèi)方向的延遲的絕對值為5nm以下，

厚度方向的延遲的絕對值為10nm以下，且

水蒸氣透過率為20g/(m²·日)以下。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)膜，其是將包含所述嵌段共聚物的樹脂進(jìn)行擠出制膜而成的。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)膜，其中，所述嵌段共聚物為如下的共聚物，

所述共聚物包含每1分子2個以上的聚合物嵌段Db作為所述嵌段Da和每1分子1個以上的聚合物嵌段Eb作為所述嵌段Ea，

所述聚合物嵌段Db具有含環(huán)式烴基化合物氫化物單元，

所述聚合嵌段Eb具有鏈狀烴化合物氫化物單元或者具有鏈狀烴化合物或其氫化物單元和含環(huán)式烴基化合物或其氫化物單元。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光學(xué)膜，其中，所述嵌段共聚物包含三嵌段共聚物，

所述三嵌段共聚物包含：具有鏈狀烴化合物氫化物單元或者具有鏈狀烴化合物氫化物單元和含環(huán)式烴基化合物氫化物單元的每1分子1個的嵌段E；連接于所述嵌段E的一端的、具有含環(huán)式烴基化合物氫化物單元的每1分子1個的嵌段D1；以及連接于所述嵌段E的另一端的、具有含環(huán)式烴基化合物氫化物單元的每1分子1個的嵌段D2，

所述嵌段D1與所述嵌段D2的重量比D1/D2為5以上且8以下。

5.一種偏振片，其具有權(quán)利要求1～4中任1項所述的光學(xué)膜和起偏器。

6.一種液晶顯示裝置，其具有權(quán)利要求5所述的偏振片。

7.一種光學(xué)膜的制造方法，其包含以下工序：

通過將樹脂A和樹脂B進(jìn)行共擠出，得到層疊膜的工序，所述層疊膜具有包含樹脂A的核層和設(shè)置在所述核層面上的包含樹脂B的表層，以及

將所述表層從所述層疊膜剝離的工序，

將所述樹脂A的熱軟化溫度和所述樹脂B的熱軟化溫度中較高一方的溫度設(shè)定為Ts[H]，共擠出的擠出溫度為(Ts[H]+70)℃以上且(Ts[H]+180)℃以下，

所述光學(xué)膜的面內(nèi)方向的延遲的絕對值為5nm以下，厚度方向的延遲的絕對值為10nm以下，且

水蒸氣透過率為20g/(m²·日)以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的光學(xué)膜的制造方法，其中，所述光學(xué)膜的所述面內(nèi)方向的延遲的絕對值為2nm以下，所述光學(xué)膜的所述厚度方向的延遲的絕對值為2nm以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的光學(xué)膜的制造方法，其中，所述樹脂B包含含脂環(huán)式結(jié)構(gòu)聚合物。

10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的光學(xué)膜的制造方法，其中，

所述樹脂A包含氫化嵌段共聚物，

所述氫化嵌段共聚物包含每1分子2個以上的聚合物嵌段D和每1分子1個以上的聚合物嵌段E，

所述聚合物嵌段D具有含環(huán)式烴基化合物氫化物單元，

所述聚合物嵌段E具有鏈狀烴化合物氫化物單元或具有鏈狀烴化合物氫化物單元和含環(huán)式烴基化合物氫化物單元。

11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的光學(xué)膜的制造方法，其中，

所述樹脂A包含嵌段共聚物，

所述嵌段共聚物包含具有含環(huán)式烴基化合物單元的嵌段、以及具有鏈狀烴化合物單元或具有鏈狀烴化合物單元和含環(huán)式烴基化合物單元的嵌段，

在所述光學(xué)膜中，其在表面和中央部的組成比率的差為0～10％。