[發明專利]研磨用組合物、其制造方法以及使用其的研磨方法及基板的制造方法有效
| 申請號: | 201880018195.9 | 申請日: | 2018-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN110431209B | 公開(公告)日: | 2022-06-28 |
| 發明(設計)人: | 吉崎幸信;坂部晃一;槍田哲;古本健一 | 申請(專利權)人: | 福吉米株式會社 |
| 主分類號: | C09K3/14 | 分類號: | C09K3/14;B24B37/00;C09G1/02;H01L21/304 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 研磨 組合 制造 方法 以及 使用 | ||
1.一種研磨用組合物,其包含:平均一次粒徑為5~25nm的磨粒、高度差改良劑、含聚氧化烯基化合物和分散介質,
所述高度差改良劑選自由下述化合物組成的組:
下述化學式(1)所示化合物、
下述化學式(1)所示化合物的鹽、
下述化學式(2)所示化合物、
下述化學式(2)所示化合物的鹽、以及
下述化學式(1)所示化合物或其鹽與如下物質的組合或者下述化學式(2)所示化合物或其鹽與如下物質的組合,所述物質為由下述化學式(3)所示的結構單元形成的聚合物或其鹽、或者具有下述化學式(3)所示的結構單元和源自其他單體的結構單元的共聚物或其鹽,
所述式(1)中,R1~R6分別獨立地為氫原子、羥基、磺基、不包含磺基的陰離子性基團、陽離子性基團、碳數2~6的烷氧基羰基、或碳數1~10的烴基,
此時,R1~R6的至少1者為磺基,
所述式(2)中,R7~R14分別獨立地為氫原子、羥基、磺基、不包含磺基的陰離子性基團、陽離子性基團、碳數2~6的烷氧基羰基、或碳數1~10的烴基,
此時,R7~R14的至少1者為磺基,
所述式(3)中,R15~R19分別獨立地為氫原子、羥基、磺基、不包含磺基的陰離子性基團、陽離子性基團、碳數2~6的烷氧基羰基、或碳數1~10的烴基,
此時,R15~R19的至少1者為磺基,
R20~R22分別獨立地為氫原子、羥基、不包含磺基的陰離子性基團、陽離子性基團、碳數2~6的烷氧基羰基,或以羥基、不包含磺基的陰離子性基團、陽離子性基團、或碳數2~6的烷氧基羰基取代的或者非取代的碳數1~10的烴基,
所述研磨用組合物的pH為2以上且不足7,
所述磨粒為在表面固定化有有機酸的二氧化硅。
2.根據權利要求1所述的研磨用組合物,其中,所述含聚氧化烯基化合物通過凝膠滲透色譜得到的、聚乙二醇換算的分子量分布具有2個以上的峰。
3.根據權利要求1或2所述的研磨用組合物,其還包含研磨促進劑。
4.根據權利要求1或2所述的研磨用組合物,其中,所述高度差改良劑的含量為0.001g/L以上且5g/L以下。
5.權利要求1~4中任一項所述的研磨用組合物的制造方法,其包括混合所述平均一次粒徑為5~25nm的磨粒、所述高度差改良劑、所述含聚氧化烯基化合物及所述分散介質。
6.一種研磨方法,其包括使用權利要求1~4中任一項所述的研磨用組合物對研磨對象物進行研磨。
7.一種基板的制造方法,其包括以權利要求6所述的研磨方法對研磨對象物進行研磨。
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