[發(fā)明專利]攝像裝置和電子設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201880018106.0
• 申請(qǐng)日: 2018-03-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110419107B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-05-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊谷至通;阿部高志;吉田遼人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼半導(dǎo)體解決方案公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146;H04N23/50;H04N25/779
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 姚鵬;曹正建

1.一種攝像裝置，包括：

光電轉(zhuǎn)換部，所述光電轉(zhuǎn)換部被構(gòu)造用于將接收的光轉(zhuǎn)換為電荷；

保持部，所述保持部被構(gòu)造用于保持從所述光電轉(zhuǎn)換部傳輸?shù)碾姾桑缓?/p>

遮光部，所述遮光部被構(gòu)造用于在所述光電轉(zhuǎn)換部與所述保持部之間遮光，

其中，所述光電轉(zhuǎn)換部、所述保持部和所述遮光部形成在具有預(yù)定厚度的半導(dǎo)體基板中，

將所述電荷從所述光電轉(zhuǎn)換部傳輸至所述保持部的傳輸區(qū)域的所述遮光部被形成為不穿透所述半導(dǎo)體基板的非穿透遮光部，并且所述傳輸區(qū)域之外的所述遮光部被形成為穿透所述半導(dǎo)體基板的穿透遮光部，其中，所述非穿透遮光部形成在所述光電轉(zhuǎn)換部和所述保持部之間，

所述保持部設(shè)置在相對(duì)于所述光電轉(zhuǎn)換部偏移半個(gè)間距的位置處，使得用于控制所述電荷從所述光電轉(zhuǎn)換部傳輸至所述保持部的傳輸控制柵極形成在所述光電轉(zhuǎn)換部和在垂直方向上與所述光電轉(zhuǎn)換部相鄰的另一光電轉(zhuǎn)換部之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置，其中，

當(dāng)所述光電轉(zhuǎn)換部的一條邊的長(zhǎng)度為1時(shí)，所述非穿透遮光部的長(zhǎng)度為1/5或更大。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的攝像裝置，其中，

所述非穿透遮光部形成在所述半導(dǎo)體基板的厚度的一半以上的深度處。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的攝像裝置，其中，

所述非穿透遮光部形成在所述半導(dǎo)體基板的厚度的一半以下的深度處。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的攝像裝置，還包括OFG柵極，其中，

所述非穿透遮光部形成在布置有所述OFG柵極的一側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的攝像裝置，還包括

防回流柵極，所述防回流柵極被構(gòu)造用于防止所述電荷從所述保持部回流至所述光電轉(zhuǎn)換部。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的攝像裝置，其中，

所述防回流柵極是所述非穿透遮光部的一部分并且被形成為向所述光電轉(zhuǎn)換部側(cè)突出的形狀。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的攝像裝置，其中，

所述傳輸控制柵極在所述非穿透遮光部的一部分中以向所述光電轉(zhuǎn)換部側(cè)突出的形狀而形成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的攝像裝置，其中，

設(shè)置有片上透鏡以使所述片上透鏡的中心位于所述光電轉(zhuǎn)換部的中央部中。

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的攝像裝置，其中，

片上透鏡設(shè)置在所述光電轉(zhuǎn)換部上的遠(yuǎn)離所述非穿透遮光部的位置處。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的攝像裝置，其中，

所述遮光部形成在除了與所述光電轉(zhuǎn)換部上的所述片上透鏡的聚光直徑相符的區(qū)域之外的區(qū)域中。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的攝像裝置，其中，

當(dāng)排列成陣列時(shí)，所述片上透鏡被布置為能夠保持光學(xué)對(duì)稱性。

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的攝像裝置，其中，

形成在像素之間的所述遮光部穿透所述半導(dǎo)體基板。

14.一種電子設(shè)備，包括：

攝像裝置，所述攝像裝置是如權(quán)利要求1至13中任一項(xiàng)所述的攝像裝置；和處理單元，所述處理單元被構(gòu)造用于處理來(lái)自所述攝像裝置的信號(hào)。