[發明專利]等離子處理裝置以及利用其的樣品的處理方法在審
| 申請號: | 201880017600.5 | 申請日: | 2018-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN111492466A | 公開(公告)日: | 2020-08-04 |
| 發明(設計)人: | 田中慶一 | 申請(專利權)人: | 株式會社日立高新技術 |
| 主分類號: | H01L21/26 | 分類號: | H01L21/26 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 吳秋明 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 等離子 處理 裝置 以及 利用 樣品 方法 | ||
1.一種樣品的處理方法,其特征在于,多次重復包含以下工序的處理工序來對所述樣品進行處理:
吸附工序,在導入了處理氣體的等離子產生室內通過等離子產生單元產生了等離子的狀態下,在載置于與所述等離子產生室連接的處理室的內部的樣品臺的所述樣品的表面形成反應物的層;
脫離工序,由配置于所述處理室的外部的加熱用燈和設置于所述樣品臺的內部的加熱器加熱所述樣品來使所述反應物的層氣化,從而使所述反應物的層從所述樣品的表面脫離;和
冷卻工序,將在所述脫離工序加熱的所述樣品冷卻,
在所述吸附工序中,由控制部對所述加熱用燈和所述加熱器進行前饋控制來將所述樣品設定為第一溫度狀態,
在所述脫離工序中,在由所述控制部控制所述加熱用燈和所述加熱器來加熱所述樣品時,對所述加熱器進行反饋控制來將所述樣品設定為第二溫度狀態。
2.根據權利要求1所述的樣品的處理方法,其特征在于,
在所述吸附工序中,基于預先求得的所述加熱用燈、所述加熱器與載置于所述樣品臺的所述樣品的表面的溫度的關系,由所述控制部對所述加熱器和所述加熱用燈進行前饋控制,來將所述樣品設定為所述第一溫度狀態。
3.根據權利要求1所述的樣品的處理方法,其特征在于,
在所述脫離工序中,由所述控制部基于由設置于所述樣品臺的內部的溫度測量元件測量的所述樣品臺的溫度來對所述加熱器進行反饋控制。
4.根據權利要求1所述的樣品的處理方法,其特征在于,
在所述脫離工序中,由所述控制部對所述加熱用燈進行前饋控制并對所述加熱器進行反饋控制來將所述樣品設定為所述第二溫度狀態,從而產生相對于所述樣品的周邊而所述樣品的中心附近的溫度高的所期望的溫度分布。
5.根據權利要求1所述的樣品的處理方法,其特征在于,
在所述脫離工序中,通過由所述控制部對所述加熱用燈和所述加熱器進行反饋控制來將所述樣品設定為所述第二溫度狀態,從而產生相對于所述樣品的周邊而所述樣品的中心附近的溫度高的所期望的溫度分布。
6.根據權利要求5所述的樣品的處理方法,其特征在于,
在重復執行所述吸附工序和所述脫離工序時,在從所述脫離工序向所述吸附工序轉移時,對所述樣品與所述樣品臺之間提供氦氣來將所述樣品冷卻。
7.一種等離子處理裝置,具備:
等離子產生室;
對所述等離子產生室的內部提供處理氣體的處理氣體提供部;
使得在所述等離子產生室的內部產生等離子的等離子產生部;
在內部具備載置樣品的樣品臺并與所述等離子產生室連接的處理室;
配置于所述處理室的外部并加熱載置于所述樣品臺的所述樣品的多個加熱用燈;
設置于所述樣品臺的內部并加熱所述樣品臺的多個加熱器;
在所述樣品臺的內部與所述多個加熱器對應設置而測量所述樣品臺的溫度的多個溫度測量元件;和
控制所述處理氣體提供部、所述等離子產生部、所述多個加熱用燈和所述多個加熱器的控制部,
所述等離子處理裝置的特征在于,
所述控制部具備如下功能:
在控制所述等離子產生部使得在所述等離子產生室的內部產生了等離子的狀態下,基于預先求得的所述多個加熱用燈、所述多個加熱器與載置于所述樣品臺的所述樣品的表面的溫度的關系來對所述多個加熱用燈和所述多個加熱器進行前饋控制;和
在控制所述等離子產生部使所述等離子產生室的內部的所述等離子消滅的狀態下控制所述多個加熱用燈來加熱所述樣品,并基于由所述多個溫度測量元件測量的所述樣品臺的溫度來對所述多個加熱器進行反饋控制。
8.根據權利要求7所述的等離子處理裝置,其特征在于,
所述樣品臺具備用于靜電吸附所述樣品的靜電夾頭和對載置于所述樣品臺的所述樣品與所述靜電夾頭之間提供氦氣的氣體提供部,
在所述樣品臺的內部形成流過冷卻所述樣品臺的冷媒的流路。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





