[發明專利]液晶顯示元件的制造方法有效
| 申請號: | 201880016151.2 | 申請日: | 2018-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN110383158B | 公開(公告)日: | 2022-02-08 |
| 發明(設計)人: | 后藤麻里奈;井之上雄一 | 申請(專利權)人: | DIC株式會社 |
| 主分類號: | G02F1/1337 | 分類號: | G02F1/1337 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 陳彥;張默 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液晶顯示 元件 制造 方法 | ||
1.一種液晶顯示元件的制造方法,其特征在于,分開且獨立地具備1~n次對添附于基板上的含有聚合性化合物的液晶組合物照射在300~400nm具有峰的光的光照射工序,
當在所述1~n次光照射工序之中第k次光照射工序Sk的光照射條件下,對含有0.3質量%的所述聚合性化合物的液晶組合物照射光5分鐘后,所述聚合性化合物的濃度Ck與0.3質量%的濃度差的每單位分鐘的濃度變化量Vk在每次工序中都以下述式(1)表示的情況下,將下述式(2)所示的全部光照射工序ΣSk中所述聚合性化合物的平均反應速度Vave控制為0.030~0.048質量%/分鐘;
作為所述聚合性化合物,包含選自由下述通式(I)所示的化合物和式(RM-2-1)~式(RM-2-52)所示的聚合性化合物組成的組的化合物的1種或2種以上,
[數1]
上述式(1)中,Ck表示對含有0.3質量%的聚合性化合物的液晶組合物在第k次光照射工序Sk的光照射條件下照射光5分鐘后的液晶組合物所含的所述聚合性化合物的以質量%計的濃度,上述式(2)中,Vk以上述式(1)表示,tk表示第k次光照射工序中對聚合性化合物照射光的以分鐘計的光照射時間;
通式(I)中,R201、R202、R203、R204、R205、R206、R207、R208、R209及R210分別獨立地表示P21-S21-、可被氟原子取代的碳原子數1~18的烷基、可被氟原子取代的碳原子數1~18的烷氧基、氟原子或氫原子的任一者,P21表示聚合性基,
S21表示單鍵或碳數1~15的亞烷基,該亞烷基中的1個或2個以上的-CH2-可以以氧原子不直接鄰接的方式經-O-、-OCO-或-COO-取代,
n21表示0、1或2,
A21表示選自由下述基團(a)、基團(b)及基團(c)組成的組中的基團,
(a)1,4-亞環己基,存在于該基團中的1個-CH2-或不鄰接的2個以上的-CH2-可被-O-取代,
(b)1,4-亞苯基,存在于該基團中的1個-CH=或不鄰接的2個以上的-CH=可被-N=取代,
(c)萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基或十氫萘-2,6-二基,存在于萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基中的1個-CH=或不鄰接的2個以上的-CH=可被-N=取代,
上述基團(a)、基團(b)及基團(c)也可分別獨立經碳原子數1~12的烷基、碳原子數1~12的烷氧基、鹵素、氰基、硝基或P21-S21-取代,
上述通式(I)的1分子內至少具有1個以上的P21-S21-,
L21表示單鍵、-OCH2-、-CH2O-、-C2H4-、-OC2H4O-、-COO-、-OCO-、-CH=CRa-COO-、-CH=CRa-OCO-、-COO-CRa=CH-、-OCO-CRa=CH-、-(CH2)z-COO-、-(CH2)z-OCO-、-OCO-(CH2)z-、-COO-(CH2)z-、-CH=CH-、-CF2O-、-OCF2-或-C≡C-,式中,Ra分別獨立地表示氫原子或碳原子數1~3的烷基,所述式中,z分別獨立地表示1~4的整數,
當P21、S21及A21存在多個時,可分別相同或不同;
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