[發明專利]表面處理組合物及其制造方法、以及使用表面處理組合物的表面處理方法及半導體基板的制造方法

有效

• 申請號: 201880016116.0
• 申請日: 2018-02-19
• 公開（公告）號: CN110402478B
• 公開（公告）日: 2023-07-04
• 發明（設計）人: 石田康登;吉野努;大西正悟;吉崎幸信
• 申請（專利權）人: 福吉米株式會社
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;C09K3/14;C11D7/22
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種表面處理組合物，其含有高分子化合物、酸和水，

所述高分子化合物具有選自由磺酸基、磺酸鹽基、磷酸基、磷酸鹽基、膦酸基、膦酸鹽基、羧酸基及羧酸鹽基組成的組中的至少1種離子性官能團，

所述表面處理組合物實質上不含有磨粒，

所述表面處理組合物的pH不足7，

所述高分子化合物的pKa為3以下，且重均分子量為3500以上且100000以下，

所述磺酸鹽基為選自由磺酸堿金屬鹽基及磺酸第2族元素鹽基組成的組中的至少1種，

所述磷酸鹽基為磷酸金屬鹽基，

所述膦酸鹽基為選自由膦酸堿金屬鹽基及膦酸第2族元素鹽基組成的組中的至少1種，

所述羧酸鹽基為選自由羧酸堿金屬鹽基及羧酸第2族元素鹽基組成的組中的至少1種，

相對于所述表面處理組合物的總質量，所述高分子化合物的含量為0.5質量％以上且10質量％以下，

所述酸僅包含選自由硫酸、硝酸、硼酸、碳酸、次膦酸、亞磷酸、磷酸、羧酸、甲磺酸、乙磺酸及羥乙基磺酸組成的組中的至少1種酸。

2.根據權利要求1所述的表面處理組合物，其中，所述高分子化合物包含共聚物，該共聚物包含具有選自由磺酸基、磺酸鹽基、羧酸基及羧酸鹽基組成的組中的至少1種離子性官能團的結構單元和其他結構單元。

3.根據權利要求2所述的表面處理組合物，其中，所述其他結構單元包含源自烯屬不飽和單體的結構單元。

4.根據權利要求1~3中任一項所述的表面處理組合物，其中，所述高分子化合物包含均聚物，該均聚物僅包含具有選自由磺酸基、磺酸鹽基、磷酸基、磷酸鹽基、膦酸基及膦酸鹽基組成的組中的至少1種酸性官能團的結構單元。

5.根據權利要求1~3中任一項所述的表面處理組合物，其中，所述高分子化合物包含具有選自由磺酸基及磺酸鹽基組成的組中的至少1種基團的高分子化合物。

6.根據權利要求5所述的表面處理組合物，其中，所述具有選自由磺酸基及磺酸鹽基組成的組中的至少1種基團的高分子化合物為選自由含有選自由磺酸基及磺酸鹽基組成的組中的至少1種基團的聚乙烯醇、含有選自由磺酸基及磺酸鹽基組成的組中的至少1種基團的聚苯乙烯、含有選自由磺酸基及磺酸鹽基組成的組中的至少1種基團的聚乙酸乙烯酯、含有選自由磺酸基及磺酸鹽基組成的組中的至少1種基團的聚酯、含（甲基）丙烯酰基單體-含有選自由磺酸基及磺酸鹽基組成的組中的至少1種基團的單體的共聚物、含有選自由磺酸基及磺酸鹽基組成的組中的至少1種基團的聚異戊二烯、含有選自由磺酸基及磺酸鹽基組成的組中的至少1種基團的烯丙基聚合物、及它們的鹽組成的組中的至少1種。

7.根據權利要求1~3中任一項所述的表面處理組合物，其中，相對于表面處理組合物中包含的聚合物的總質量，所述高分子化合物的含量為50質量%以上。

8.根據權利要求1~3中任一項所述的表面處理組合物，其還包含潤濕劑。

9.根據權利要求1~3中任一項所述的表面處理組合物，其pH值為1以上且不足3。

10.根據權利要求1~3中任一項所述的表面處理組合物，其用于減少研磨完成的研磨對象物的表面上的殘渣。

11.根據權利要求10所述的表面處理組合物，其中，所述研磨完成的研磨對象物包含選自由氮化硅、氧化硅及多晶硅組成的組中的至少1種。

12.根據權利要求10所述的表面處理組合物，其中，所述殘渣為有機物殘渣。

13.一種表面處理方法，其中，使用權利要求1~12中任一項所述的表面處理組合物對研磨完成的研磨對象物進行表面處理，從而減少研磨完成的研磨對象物的表面上的殘渣。