[發明專利]苗栽培裝置以及苗栽培方法在審
| 申請號: | 201880015652.9 | 申請日: | 2018-01-23 |
| 公開(公告)號: | CN110381729A | 公開(公告)日: | 2019-10-25 |
| 發明(設計)人: | 布施順也 | 申請(專利權)人: | 三菱化學農業夢想株式會社 |
| 主分類號: | A01G9/14 | 分類號: | A01G9/14;A01G9/24;A01G7/04;F21V3/02;F21S2/00;F21Y115/10 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 周宏志;張青 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 照明裝置 栽培裝置 半導體光源 植物培育裝置 栽培 板式 樹脂制 栽培苗 多層 擱板 擴散 輸出 | ||
1.一種苗栽培裝置,是用多層擱板式植物培育裝置栽培苗并具備照明裝置的栽培裝置,其特征在于,
所述照明裝置具備:半導體光源、和對來自該半導體光源的光進行擴散的樹脂制的罩,
對于所述照明裝置而言,針對各擱板的栽培面的每1m2而從照明裝置輸出的光束為17000流明以上。
2.根據權利要求1所述的苗栽培裝置,其特征在于,
在所述照明裝置中,在距離所述罩的外表面20cm的位置測定出的平均光合有效光子通量為150μmol/m2/sec以上。
3.根據權利要求1或2所述的苗栽培裝置,其特征在于,
所述罩的高度為40mm以下。
4.根據權利要求1~3的任一項所述的苗栽培裝置,其特征在于,
所述半導體光源在400~480nm的范圍具有第一發光峰值波長,并且在500~620nm的范圍具有第二發光峰值波長,
所述第二發光峰值波長的半光譜幅值為100nm以上。
5.根據權利要求1~4的任一項所述的苗栽培裝置,其特征在于,
所述栽培裝置配置在封閉式構造物中,在所述封閉式構造物內具備空調裝置,并且具備對所述苗澆水的澆水裝置。
6.一種苗栽培方法,其特征在于,
使用權利要求1~5的任一項所述的苗栽培裝置。
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