[發明專利]彈性波裝置

有效

• 申請號: 201880015383.6
• 申請日: 2018-02-22
• 公開（公告）號: CN110383685B
• 公開（公告）日: 2023-02-21
• 發明（設計）人: 巖本英樹;高井努;中川亮;山根毅;太田川真則
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03H9/25
• 分類號: H03H9/25;H03H9/145
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 趙琳琳

1.一種彈性波裝置，具備：

材料層，具有歐拉角且所述歐拉角下的彈性常數由下述的式(1)來表示；

壓電體，具有相互對置的第1主面以及第2主面，直接或間接地層疊于所述材料層以使得所述第2主面處于所述材料層側，具有歐拉角且所述歐拉角下的彈性常數由下述的式(1)來表示；和

IDT電極，設置在所述壓電體的所述第1主面以及所述第2主面之中的至少一方，由電極指間距規定的波長為λ，

所述壓電體的C₅₆與所述材料層的C₅₆之積為正的值，并且，

所述材料層的C₅₆的絕對值大于所述壓電體的C₅₆的絕對值，

[數學式1]

2.根據權利要求1所述的彈性波裝置，其中，

所述式(1)中的彈性常數c_ab由(c_ab)＝[α]^-1[c_ab⁰][β]來導出，

另外，α以及β如下，

[數學式2]

此外，α以及β中的l₁～l₃、m₁～m₃以及n₁～n₃如下，

n₁＝sinψsinθ

n₂＝cosψsinθ

n₃＝cosθ。

3.根據權利要求1或2所述的彈性波裝置，其中，

由所述IDT電極激勵的高階模式的至少一部分在所述材料層和所述壓電體雙方中傳播。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的彈性波裝置，其中，

所述材料層是體波的聲速與在所述壓電體中傳播的彈性波的聲速相比成為高速的高聲速材料。

5.根據權利要求1～3中任一項所述的彈性波裝置，其中，

所述壓電體的厚度為10λ以下。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的彈性波裝置，其中，

所述材料層的C₅₆的絕對值為8.4GPa以上。

7.根據權利要求1～5中任一項所述的彈性波裝置，其中，

所述材料層的C₅₆的絕對值為28GPa以下。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的彈性波裝置，其中，

所述材料層由單晶構成。

9.根據權利要求8所述的彈性波裝置，其中，

構成所述材料層的所述單晶由壓電體以外的單晶構成。

10.根據權利要求1～9中任一項所述的彈性波裝置，其中，

所述壓電體的厚度為3.5λ以下。

11.根據權利要求1～10中任一項所述的彈性波裝置，其中，

還具備：低聲速膜，設置在所述材料層與所述壓電體之間，所傳播的體波的聲速與在所述壓電體中傳播的彈性波的聲速相比為低速。

12.根據權利要求11所述的彈性波裝置，其中，

所述低聲速膜為氧化硅膜。

13.根據權利要求12所述的彈性波裝置，其中，

所述低聲速膜的厚度為2λ以下。

14.根據權利要求8或9所述的彈性波裝置，其中，

構成所述材料層的所述單晶由硅構成。