[發(fā)明專利]可編程電源發(fā)生器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201880015357.3
• 申請日: 2018-03-05
• 公開（公告）號: CN110383202A
• 公開（公告）日: 2019-10-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: T·羅;H·K·克里西那莫西;X·劉
• 申請（專利權(quán)）人: 英特爾公司
• 主分類號: G05F1/46
• 分類號: G05F1/46;G05F1/575;G11C5/14
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 黃嵩泉;何焜

1.一種設(shè)備，包括：

第一組器件，所述第一組器件由包括第一比較器的第一反饋回路數(shù)字控制；以及

第二組器件，所述第二組器件由模擬電路控制，所述模擬電路是包括放大器的第二反饋回路的一部分，其中所述第一組器件并聯(lián)耦合到所述第二組器件。

2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一組器件和所述第二組器件耦合到第一電源節(jié)點(diǎn)和第二電源節(jié)點(diǎn)，并且其中所述第二電源節(jié)點(diǎn)用于耦合到負(fù)載。

3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述第二組器件中的至少一個器件始終導(dǎo)通。

4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一反饋回路包括第二比較器，其中所述第一比較器和所述第二比較器用于接收第一參考和第二參考，并且其中所述第一參考不同于所述第二參考。

5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一反饋回路包括移位寄存器，所述移位寄存器具有用于接收所述第一比較器的輸出的第一輸入，以及用于接收所述放大器的輸出的第二輸入。

6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其特征在于，所述移位寄存器的輸出被用于控制所述第一組器件。

7.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，所述移位寄存器的所述輸出是具有至少兩個位的總線。

8.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，其特征在于，所述移位寄存器的輸出由所述第一比較器和/或放大器的所述輸出屏蔽。

9.如權(quán)利要求6所述的設(shè)備，包括第一組多路復(fù)用器，用于接收所述移位寄存器的所述輸出和第一預(yù)定信號，其中所述第一組多路復(fù)用器的所述輸出用于數(shù)字控制所述第一組器件。

10.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，包括第二組多路復(fù)用器，用于接收所述移位寄存器的所述輸出和第二預(yù)定信號，其中所述第二組多路復(fù)用器的所述輸出用于導(dǎo)通或斷開所述第二組器件中的至少一個器件。

11.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一組多路復(fù)用器和所述第二組多路復(fù)用器由可編程控件控制。

12.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述放大器用于生成在電源電平與接地電平之間的輸出，并且其中所述輸出用于控制所述第二組器件。

13.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一組器件和所述第二組器件包括p型晶體管、n型晶體管或它們的組合。

14.一種設(shè)備，包括：

數(shù)字低壓差(LDO)，所述數(shù)字低壓差(LDO)耦合到輸入電源節(jié)點(diǎn)和輸出電源節(jié)點(diǎn)；以及

一組模擬LDO，所述一組模擬LDO并聯(lián)耦合到所述數(shù)字LDO，其中所述組的至少一個模擬LDO始終導(dǎo)通。

15.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，包括數(shù)字控制器，用于控制所述數(shù)字LDO和所述一組模擬LDO。

16.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，包括邏輯，用于根據(jù)所需的電源抑制比(PSRR)屏蔽所述數(shù)字控制器的輸出。

17.如權(quán)利要求14至17中任一項所述的設(shè)備，其特征在于，所述一組模擬LDO包括由非軌到軌輸出控制的p型器件，并且其中所述數(shù)字LDO包括由軌到軌輸出控制的p型器件。