[發明專利]真空裝置有效
| 申請號: | 201880015142.1 | 申請日: | 2018-11-26 |
| 公開(公告)號: | CN110366774B | 公開(公告)日: | 2023-06-02 |
| 發明(設計)人: | 鈴木杰之;武者和博;松崎淳介;田宮慎太郎;南展史;中尾裕利 | 申請(專利權)人: | 株式會社愛發科 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;C23C14/34 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 張澤洲;譚祐祥 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 真空 裝置 | ||
1.一種真空裝置,前述真空裝置具備真空槽、插入孔、臺、蓋部件、供氣排氣用貫通孔,
前述插入孔被設置于前述真空槽的頂棚,
前述臺能夠在使前述插入孔閉塞的閉塞位置和比前述閉塞位置靠下方的前述真空槽內的更換位置之間移動,在朝向上方的面隔開間隙地配置搬運對象物,
前述蓋部件設置成相對于前述臺伏倒的朝向的容器形形狀,前述容器形形狀的開口的邊緣部分和前述插入孔的外側的前述頂棚之間被氣密,
前述供氣排氣用貫通孔形成于前述蓋部件,
前述搬運對象物包括配置于前述臺上的搬運板、配置于前述搬運板上的基板,
前述插入孔被前述臺閉塞而形成的前述蓋部件和前述臺之間的搬入搬出空間為,若前述蓋部件和前述頂棚之間被氣密則從大氣分離,
前述搬入搬出空間被從前述供氣排氣用貫通孔的設置于前述搬入搬出空間的開口即供氣排氣口真空排氣,升壓用氣體被從前述供氣排氣口向前述搬入搬出空間供給,其特征在于,
在前述臺和前述供氣排氣口之間配置長方形或正方形的第一整流板,
前述搬運對象物被配置于前述第一整流板和前述臺之間,
前述蓋部件具有配置成四邊筒形形狀的四壁面,
前述第一整流板被配置成,與前述四壁面中的互相平行的兩壁面接觸,與其他平行的兩壁面分離,
在與前述兩壁面分離的前述第一整流板的部分,長方形或正方形的第二整流板被與前述第二整流板分離的前述兩壁面面對地配置,
在前述第二整流板,設置有在與前述壁面面對的面和其背面之間貫通來供前述升壓用氣體通過的貫通孔。
2.如權利要求1所述的真空裝置,其特征在于,
在前述搬運板的面向前述第一整流板的正面形成有凹陷。
3.如權利要求1或權利要求2所述的真空裝置,其特征在于,
前述貫通孔包括上側貫通孔和下側貫通孔,前述上側貫通孔在配置于前述搬運板上的前述基板的正面和前述第一整流板的朝向下方的面之間的高度配置,前述下側貫通孔在配置于前述臺上的前述搬運對象物的背面的高度和前述臺的正面的高度之間的高度配置。
4.如權利要求3所述的真空裝置,其特征在于,
在前述基板和前述第一整流板之間形成正面側間隙,在前述搬運板的背面和前述臺的正面之間形成背面側間隙,
前述正面側間隙的體積和前述上側貫通孔的面積的積的值、與前述背面側間隙的體積和前述下側貫通孔的面積的積的值相等。
5.如權利要求3所述的真空裝置,其特征在于,
前述第二整流板和與前述第二整流板面對的前述壁面之間的距離比前述上側貫通孔的鉛垂方向的寬度大,且比前述下側貫通孔的鉛垂方向的寬度大。
6.如權利要求1或權利要求2所述的真空裝置,其特征在于,
前述貫通孔包括上側貫通孔和臺上貫通孔,前述上側貫通孔在配置于前述搬運板上的前述基板的正面和前述第一整流板的朝向下方的面之間的高度配置,前述臺上貫通孔為設置于前述臺和前述第二整流板的下端之間的間隙,
前述臺上貫通孔被在比配置于前述臺上的前述搬運板的背面低的高度配置。
7.如權利要求6所述的真空裝置,其特征在于,
在前述基板和前述第一整流板之間形成正面側間隙,在前述搬運板的背面和前述臺的正面之間形成背面側間隙,
前述正面側間隙的體積和前述上側貫通孔的面積的積的值、與前述背面側間隙的體積和前述臺上貫通孔的面積的積的值相等。
8.如權利要求7所述的真空裝置,其特征在于,
設置有使前述第一整流板和前述第二整流板相對于前述蓋部件上升和下降的提升裝置。
9.如權利要求6所述的真空裝置,其特征在于,
前述第二整流板、與前述第二整流板面對的前述壁面之間的距離比前述上側貫通孔的鉛垂方向的寬度大,且比前述臺上貫通孔的鉛垂方向的寬度大。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





